[发明专利]适用于半桥模块的三相逆变复合母排

权利要求书

1.一种适用于半桥模块的三相逆变复合母排，其特征在于：包括三个形状为扁平状且叠放在一起的母排，三个母排从后至前依次为正母排（1）、负母排（2）和M母排（3），相邻的母排之间设有高绝缘强度材料；正母排（1）、负母排（2）和M母排（3）的右侧侧边上各设有一个放电电阻连接部（4），三个放电电阻连接部（4）上下错开布置；正母排（1）和负母排（2）的左侧侧边上各设有一个输入端连接部（5），两个输入端连接部（5）上下错开布置；正母排（1）和负母排（2）的底边上各设有三个IGBT连接部（6），并且正母排（1）上的三个IGBT连接部（6）和负母排（2）上的三个IGBT连接部（6）交叉布置；三个母排作为一个整体，在其整体的水平中线上开设有三个贯穿母排整体的窗口（7），每个窗口（7）的两侧分别设有一个吸收电容连接部（8），每个窗口（7）上的两个吸收电容连接部（8）一个与正母排（1）连接、一个与负母排（2）连接；三个母排作为一个整体，在其整体的水平中线上方的位置设有四组支撑电容端子组，每组支撑电容端子组包括两个支撑电容端子（9），从左至右第一、三、六、八个支撑电容端子（9）与M母排（3）连接，第二、四个支撑电容端子（9）与正母排（1）连接，第五、七个支撑电容端子（9）与负母排（2）连接；三个母排作为一个整体，在其整体的水平中线下方的位置设有四组支撑电容端子组，每组支撑电容端子组包括两个支撑电容端子（9），从左至右第二、四、五、七个支撑电容端子（9）与M母排（3）连接，第六、八个支撑电容端子（9）与正母排（1）连接，第一、三个支撑电容端子（9）与负母排（2）连接。

2.根据权利要求1所述的适用于半桥模块的三相逆变复合母排，其特征在于：放电电阻连接部（4）和输入端连接部（5）与相应的母排为同平面设置；IGBT连接部（6）和吸收电容连接部（8）与相应的母排垂直设置。

3.根据权利要求1所述的适用于半桥模块的三相逆变复合母排，其特征在于：支撑电容端子（9）通过焊接或冷压的方式与相应母排连接，并且露出于三个母排整体外侧；其中，与M母排（3）连接的支撑电容端子（9）通过焊接或冷压的方式直接与M母排（3）连接；与负母排（2）连接的支撑电容端子（9）穿过M母排（3）上的过孔后露出于M母排（3）外侧，并且M母排（3）的过孔内壁设有有机聚酯薄膜；与正母排（1）连接的支撑电容端子（9）穿过负母排（2）及M母排（3）上的过孔后露出于M母排（3）外侧，并且负母排（2）及M母排（3）的过孔内壁设有有机聚酯薄膜。

4.根据权利要求1所述的适用于半桥模块的三相逆变复合母排，其特征在于：IGBT连接部（6）与对应母排之间采用镀锡的铜排直接连接。

5.根据权利要求1所述的适用于半桥模块的三相逆变复合母排，其特征在于：正母排（1）、负母排（2）和M母排（3）都为表面电解镀锡的铜排，铜排厚度为1.5mm、锡层厚度为5-15μm，高绝缘强度材料的厚度小于0.8mm。

6.根据权利要求1所述的适用于半桥模块的三相逆变复合母排，其特征在于：正母排（1）、负母排（2）、M母排（3）以及其之间的高绝缘强度材料是采用压膜方式处理形成一体的。

7.根据权利要求1所述的适用于半桥模块的三相逆变复合母排，其特征在于：正母排（1）、负母排（2）和M母排（3）的表面除了支撑电容端子（9）连接处及放电电阻连接部（4）、输入端连接部（5）、吸收电容连接部（8）外均涂覆有绝缘材料，该绝缘材料的厚度小于0.4mm。

8.根据权利要求1所述的适用于半桥模块的三相逆变复合母排，其特征在于：与M母排（3）连接的放电电阻连接部（4）高于与负母排（2）连接的放电电阻连接部（4），与负母排（2）连接的放电电阻连接部（4）高于与正母排（1）连接的放电电阻连接部（4）；与负母排（2）连接的输入端连接部（5）高于与正母排（1）连接的输入端连接部（5）。