[发明专利]改良黑电平校准的图像传感器在审
| 申请号： | 201410447129.7 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104184969A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 郭同辉;旷章曲 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改良 电平 校准 图像传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种改良黑电平校准的图像传感器，包含感光像素阵列和遮光像素阵列，其特征在于，所述遮光像素阵列中包含抽取半导体基体中溢出电荷的像素和黑电平校准像素，所述抽取半导体基体中溢出电荷的像素位于所述感光像素阵列与所述黑电平校准像素之间，将所述感光像素阵列与所述黑电平校准像素隔离开。
2.根据权利要求1所述的改良黑电平校准的图像传感器，其特征在于，所述抽取半导体基体中溢出电荷的像素至少为2个像素单元。
3.根据权利要求1所述的改良黑电平校准的图像传感器，其特征在于，所述抽取半导体基体中溢出电荷的像素中包括光电二极管，所述光电二极管与电源连通。
4.根据权利要求1、2或3所述的改良黑电平校准的图像传感器，其特征在于，所述抽取半导体基体中溢出电荷的像素中包括电荷转移晶体管，所述电荷转移晶体管处于开启状态，其栅极电压大于等于0.5倍的电源电压。
5.根据权利要求1、2或3所述的改良黑电平校准的图像传感器，其特征在于，所述抽取半导体基体中溢出电荷的像素中包括复位晶体管，所述复位晶体管处于开启状态，其栅极电压大于等于0.5倍的电源电压。
6.根据权利要求1、2或3所述的改良黑电平校准的图像传感器，其特征在于，所述抽取半导体基体中溢出电荷的像素中包括选择晶体管，所述选择晶体管处于关闭状态，其栅极电压为0V。
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