[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410446864.6 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105384143B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 张先明;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;G01L1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
提供基底，在所述基底上形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有底部电极；
在所述底部电极上方沉积形成牺牲层；
在所述牺牲层和部分所述层间介电层上形成压力传感膜；
蚀刻所述压力传感膜，以形成开口暴露部分所述牺牲层，并去除所述牺牲层；
在所述压力传感膜和部分层间介电层上形成氧化物层，以填孔所述开口，以形成密闭的空腔；
执行激光退火步骤，以释放所述压力传感膜内的应力。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底部电极材料的熔点大于1000℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底部电极的材料为多晶锗硅或多晶硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压力传感膜的材料为多晶硅锗。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光退火的能量密度为0.2J/cm2-0.8J/cm2。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述激光退火步骤后还包括在所述氧化物层上形成覆盖层的步骤。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述覆盖层后，还包括蚀刻所述覆盖层和所述氧化物层，停止于所述压力传感膜上，以形成沟槽的步骤。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底中形成有CMOS器件。
9.一种采用权利要求1-8中任一项所述的方法制作的半导体器件。
10.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求9所述的半导体器件。
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