[发明专利]微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体的制造方法

权利要求书

1.一种微细图案形成用积层体，其特征在于，具备被处理体，

设置在所述被处理体的一个主面上的表面具有凹凸结构的第1掩模层，

和设置在所述第1掩模层的所述凹凸结构上的第2掩模层，

所述第2掩模层配置在所述凹凸结构的凸部上及侧面部的至少一部分上，配置在所述凹凸结构的凸部上的第2掩模层的厚度(hmv)和由所述凹凸结构的凹部底部与凸部上部的距离表示的凹凸结构的高度(h0)之比(hmv/h0)满足下述式(16)，并且，

配置在所述凹凸结构的侧面部上的第2掩模层的厚度(hml)和配置在所述凹凸结构的凸部上的第2掩模层的厚度(hmv)的比率(hml/hmv)满足下述式(17)，

式(16)

0<hmv/h0≤20

式(17)

0≤hml/hmv<1。

2.根据权利要求1中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述第2掩模层含有金属元素。

3.根据权利要求1中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述第2掩模层含有溶胶凝胶材料。

4.根据权利要求2中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，在所述被处理体和所述第1掩模层之间形成有硬掩模层。

5.根据权利要求2中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述被处理体为蓝宝石、石英、硅、ITO、ZnO、SiC或氮化物半导体的任意一种。

6.根据权利要求2记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，配置在所述凹凸结构的凸部上的第2掩模层的厚度(hmv)满足下述式(18)，并且，配置在所述凹凸结构侧面部上的第2掩模层的厚度(hml)满足下述式(19)，

式(18)

0<hmv<1000nm

式(19)

0≤hml≤50nm。

7.根据权利要求1到权利要求6的任意一项中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，进行干蚀刻的所述被处理体的蚀刻速率(Vi2)和所述第1掩模层的蚀刻速率(Vo2)的比率(Vo2/Vi2)满足下述式(8)，

式(8)

Vo2/Vi2≤3。

8.根据权利要求1到权利要求6的任意一项中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，进行干蚀刻的所述第2掩模层的蚀刻速率(Vm1)和所述第1掩模层的蚀刻速率(Vo1)的比率(Vo1/Vm1)满足下述式(7)，

式(7)

3≤Vo1/Vm1。

9.根据权利要求2中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述第1掩模层具有下述通式(1)所表示的部位，

[化2]

通式(1)

10.一种微细图案形成用积层体的制造方法，其是使用具备模具和第2掩模层的微细图案形成用积层体来制造权利要求1到权利要求9的任意一项中记载的微细图案形成用积层体的方法，所述具备模具和第2掩模层的微细图案形成用积层体用于在被处理体上介由第1掩模层形成微细图案，所述模具在表面上具有凹凸结构，所述第2掩模层在加工所述第1掩模层时作为掩模起作用，所述凹凸结构的凸部顶部位置(S)与在所述凹凸结构的凹部内部形成的所述第2掩模层的界面位置(Scc)之间的距离(lcc)，以及凹凸结构的高度(h)满足下述式(1)，并且，所述凸部顶部位置(S)与在所述凸部上形成的所述第2掩模层的顶部位置(Scv)之间的距离(lcv)和所述高度(h)满足下述式(2)，

式(1)

0<lcc<1.0h

式(2)

0≤lcv≤0.05h，

其特征在于，

至少按顺序经过下述工序：将所述第1掩模层的原料在所述被处理体的一个主面上成膜的工序、将所述微细图案形成用积层体的配置了所述第2掩模层的凹凸结构面贴合在所述已成膜的第1掩模层上的工序、向所述第1掩模层的原料照射能量射线的工序和剥离所述模具的工序。