[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具备：

硅基板，包含有：第一部分，具有第一面；和第二部分；具有与所述第一面之间的角度为125度以上126度以下的第二面；

第一半导体元件，设置在所述第一部分；

第一半导体层，设置在所述第二面之上；以及

第二半导体元件，设置在所述第一半导体层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一半导体层含有Al_xGa_1－xN，其中，0≦x＜1。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一面为硅的(100)面，

所述第二面为硅的(111)面。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一半导体层包含有第一层和设置在所述第一层之上且含有杂质的第二层；

所述第二层中的杂质浓度比所述第一层中的杂质浓度高。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备：

基底层，设置在所述第一半导体层与所述第二面之间。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述基底层含有Al_aGa_1－aN，其中，0≦a≦1。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述基底层包含有多个层叠的层，所述多个层叠的层的每个包含有AlN层、AlGaN层以及GaN层。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述基底层的Al的组成比在与所述第二面垂直的方向上变化。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一部分包含有第一部、第二部和设置在所述第一部与所述第二部之间的第三部；

所述第一半导体元件包含有：

第一源极区域，设置在所述第一部；

第一漏极区域，设置在所述第二部；

第一栅电极；以及

第一栅极绝缘膜，设置在所述第三部与所述第一栅电极之间；

所述第一半导体层包含有第四部、第五部和设置在所述第四部与所述第五部之间的第六部；

所述第二半导体元件包含有：

第二源极区域，设置在所述第四部；

第二漏极区域，设置在所述第五部；以及

第二栅电极，设置在所述第六部之上。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，

还具备：

第一漏电极，与所述第一漏极区域电连接；以及

布线，对所述第一漏电极和所述第二栅电极进行电连接。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备：

绝缘膜，当投影到与所述第一面平行的平面上时，设置在所述第二部分的中心区域之上。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一半导体层包含有：

第一区域，设置在所述第二面之上；以及

第二区域，设置在所述第一面之上，与所述第一区域连续。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备：

第二半导体层，设置在所述第二面之上，与所述第一半导体层分离；以及

第三半导体元件，设置在所述第二半导体层。

14.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第二部分还具有与所述第一面之间的角度为125度以上126度以下的第三面。

15.如权利要求14所述的半导体装置，其中，

所述第三面为硅的(111)面。

16.如权利要求14所述的半导体装置，其中，

所述第一半导体层还包含有设置在所述第三面之上的区域。

17.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述基板还包含有具有与所述第一面平行的面的第三部分，

所述第二部分设置在所述第一部分与所述第三部分之间。

18.如权利要求17所述的半导体装置，其中，

所述第三部分具有硅的(100)面。