[发明专利]一种掩膜板在审
| 申请号： | 201410446667.4 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104267574A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 张家祥;郭建 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜板 | ||
1.一种掩膜板，其特征在于，包括衬底和在所述衬底上依次设置的相位反转层、挡光层；
其中，所述挡光层上设有镂空区域；
所述相位反转层在所述挡光层上的投影至少部分位于所述镂空区域；
所述相位反转层将从衬底侧入射的光线进行相位反转用于抵消所述光线经过镂空区域产生衍射的光线。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，在所述的相位反转层和所述衬底之间还设有增透层；所述增透层在所述挡光层上的投影覆盖所述镂空区域。
3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述增透层的厚度范围为200-400埃。
4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述相位反转层的厚度范围为400-600埃。
5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述相位反转层的光线透过率范围为5-8％。
6.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述挡光层的厚度范围为1500-2000埃。
7.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述镂空区域包括过孔。
8.根据权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述过孔的直径范围为1.7-2.0um。
9.根据权利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述相位反转层在所述挡光层上的投影的边缘与所述过孔的边缘的距离为0.5-0.8um。
10.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述增透层的材料包括MgF；所述挡光层的材料包括铬；所述相位反转层的材料包括SiMo。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410446667.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高空作业车工作斗自动调平系统
- 下一篇：一种升降装置
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
