[发明专利]一种上转换荧光分子印迹聚合物及其制备方法

权利要求书

1.一种上转换荧光分子印迹聚合物，其特征在于：采用上转换荧光纳米材料作为支持体，以速灭威为模板分子，以甲基丙烯酸为功能单体，利用分子印迹技术中的包埋法制备。

2.根据权利要求1所述的上转换荧光分子印迹聚合物，其特征在于：所述上转换荧光纳米材料为上转换荧光纳米棒β–NaYF₄:Yb³⁺,Er³⁺。

3.一种制备如权利要求2所述的上转换荧光分子印迹聚合物的方法，其特征在于，包括如下的制备步骤：

1)先加入上转换荧光纳米棒β–NaYF₄:Yb³⁺,Er³⁺，再加入溶剂四氢呋喃和甲苯以及速灭威模板分子，充分搅拌使其完全溶解，然后加入甲基丙烯酸，充分搅拌1-2h；加入交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯和引发剂偶氮二异丁腈反应0.3-0.5h；通氮气3-10min后，55-60℃水浴热聚合18-22h；

2)将步骤1)制备的聚合物粉碎，置于索氏萃取器中，加入270mL甲醇和30mL冰乙酸作萃取溶剂，连续萃取40-48h，至萃取液中无速灭威检测出来为止，50-60℃真空干燥8-12h，得到速灭威上转换荧光分子印迹聚合物。

4.根据权利要求3所述的上转换荧光分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于：步骤1)中，加入甲基丙烯酸后，充分搅拌1h；加入交联剂和引发剂后反应0.5h，通氮气10min，60℃水浴热聚合20h。

5.根据权利要求3所述的上转换荧光分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于：步骤2)中，将步骤1)制备的聚合物粉碎，置于索氏萃取器中，加入270mL甲醇和30mL冰乙酸作萃取溶剂，连续萃取48h，至萃取液中无速灭威检测出来为止，60℃真空干燥10h，得到速灭威上转换荧光分子印迹聚合物。

6.根据权利要求3～5所述的上转换荧光分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于：步骤1)中，所述的上转换荧光纳米棒与速灭威模板分子的质量比为1:0.5-1:0.8，优选为1：0.66。

7.根据权利要求3～5所述的上转换荧光分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于：步骤1)中，所述溶剂四氢呋喃与甲苯的体积比为1:0.5-1:2，优选为1：1。

8.根据权利要求3～5所述的上转换荧光分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于：步骤1)中，所述的速灭威、甲基丙烯酸、乙二醇二甲基丙烯酸酯的摩尔比例为1:3:3-1:4:10，优选为1：4：4。

9.根据权利要求3～5所述的上转换荧光分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于：步骤2)中，所述的甲醇与冰乙酸的提取液甲醇与冰乙酸的体积比为10:1-8:1，优选为9：1。