[发明专利]在扩展环境温度范围内允许最高性能操作的系统及方法有效
申请号: | 201410445957.7 | 申请日: | 2014-09-03 |
公开(公告)号: | CN104516372B | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | J·达斯蒂达尔 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | G05D23/19 | 分类号: | G05D23/19 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金晓 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扩展 环境温度 范围内 允许 最高 性能 操作 系统 方法 | ||
1.一种初始化半导体装置操作的方法,包括:
当所述半导体装置处于复位状态的时候,检测外部复位信号的取消;
监测所述半导体装置的温度水平;
声明时钟信号;
集成产生电阻热量同时接收所述时钟信号的至少一个时钟树;
当所述温度水平低于允许所述半导体装置在最高性能水平操作的预定最低操作温度水平的时候,
保持所述半导体装置处于所述复位状态;以及
声明所述半导体装置上的至少一个操作参数处于升高的水平,以在所述半导体装置上产生热量;以及
当所述温度水平至少是所述预定最低操作温度水平的时候,释放所述复位状态;
当所述温度低于预定最低操作温度水平的时候,响应于取消所述外部复位信号,声明所述时钟信号处于升高的频率水平。
2.根据权利要求1所述的方法,其中当所述温度水平低于所述预定最低操作温度水平以及所述时钟信号处于所述升高的频率水平的时候所述时钟信号被提供给不能够在所述最高性能水平操作的所述半导体装置的高频率块。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述声明所述半导体装置上的至少一个操作参数处于升高的水平包括声明时钟信号处于所述半导体装置的频率发生器的最高频率水平。
4.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述声明所述半导体装置上的至少一个操作参数处于升高的水平包括声明多个时钟信号中的每一个处于升高的频率水平,其中所述多个时钟信号中的每一个被提供给所述半导体装置的多个高频率块中的相应的高频率块;
其中所述监测所述半导体装置的温度水平包括监测所述多个高频率块中的每一个的温度水平;以及
其中所述释放所述复位状态包括当所述多个高频率块中的每一个的所述温度水平达到多个预定最低操作温度水平中的相应预定最低操作温度水平的时候,释放所述复位状态。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述声明所述半导体装置上的至少一个操作参数处于升高的水平包括将提供给所述半导体装置的电源电压指令为大于预定正常操作电压电平。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述声明所述半导体装置上的至少一个操作参数处于升高的水平包括将提供给所述半导体装置的电源电压指令为声明在所述半导体装置能够容忍的最高电压电平处。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述声明所述半导体装置上的至少一个操作参数处于升高的水平包括声明时钟信号处于升高的频率水平并且将提供给所述半导体装置的电源电压指令为大于预定正常操作电压电平。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述监测所述半导体装置的温度水平包括测量位于所述半导体装置上的多个位置处的多个温度,并且其中所述释放所述复位状态包括当所述多个温度中的最低温度至少处于所述预定最低操作温度水平的时候,释放所述复位状态。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述监测所述半导体装置的温度水平包括测量位于所述半导体装置的相应多个位置处的多个温度水平,其中所述半导体装置的所述多个位置中的每一个具有多个最低操作温度水平中的相应的最低操作温度水平,并且其中所述释放所述复位状态包括当所述多个位置中的每一个的温度水平已经达到多个最低操作温度水平中的相应的最低操作温度水平的时候,释放所述复位状态。
10.根据权利要求1所述的方法,还包括当所述半导体装置处于所述复位状态的时候,指令关闭外部冷却系统。
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