[发明专利]一种透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一个纳米导线结构，其特征在于，包括：沿第一方向有序排列的一维纳米导线组、沿第二方向有序排列的一维纳米导线组和粘联胶，所述的粘联胶位于所述的两组一维纳米导线组中的一维纳米导线的相互连接处。

2.根据权利要求1所述的纳米导线结构，其特征在于，所述的沿第一方向有序排列的一维纳米导线中的一维纳米导线和第一方向的偏差为0~10°，所述的沿第二方向有序排列的一维纳米导线中的一维纳米导线和第二方向的偏差为0~10°。

3.根据权利要求1所述的纳米导线结构，其特征在于，还包括其他的有序分布或无序分布的一维纳米导线。

4.根据权利要求1所述的纳米导线结构，其特征在于，所述的一维纳米导线的长宽比为10~2000。

5.根据权利要求1所述的纳米导线结构，其特征在于，所述的一维纳米导线为金属纳米线、碳基纳米线、硅基纳米线、金属化合物纳米线或导电高分子纳米线中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的纳米导线结构，其特征在于，所述的粘联胶为导电高分子、丙烯酸酯类树脂、酚醛树脂、有机硅树脂、聚氨酯、环氧树脂、聚酯、氟聚合物、聚酰胺、聚酰亚胺、聚乙烯醇、改性淀粉、改性纤维素、壳聚糖、淀粉、纤维素、植物胶、聚丙烯酰胺或聚乙烯吡咯酮中的一种或几种。

7.一种透明导电膜,其特征在于，包括衬底和导电层,所述导电层包含权利要求1所述的纳米导线结构和基质。

8.根据权利要求7所述的透明导电膜，其特征在于，所述的纳米导线结构中的一维纳米导线经过表面预处理，所述的预处理为表面加压、光照、电场、磁场和加热中的一种或多种。

9.根据权利要求7所述的透明导电膜，其特征在于，所述的衬底为玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚烯烃、含氟聚合物、聚酰胺、聚酰亚胺、有机硅树脂、聚醚酮、聚醚酮酮、聚降冰片烯、聚酯，聚苯乙烯或三醋酸纤维素中的一种或几种。

10.根据权利要求7所述的透明导电膜，其特征在于，所述的透明导电膜还包括配向膜层，所述的配向膜层位于导电层之上、之下或之中。

11.根据权利要求7所述的透明导电膜，其特征在于，所述的配向膜层由多个不同方向的配向膜组成。

12.根据权利要求7所述的透明导电膜，其特征在于，所述的基质为聚氨酯、丙烯酸酯类树脂、硅酮、聚硅烷、聚氯乙烯、聚苯乙烯、环氧树脂、氟聚合物、聚酰胺、聚酰亚胺、聚降冰片烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚乙烯醇，改性淀粉，改性纤维素，壳聚糖，淀粉，纤维素，植物胶，聚丙烯酰胺或聚乙烯吡咯酮中的一种或几种。

13.如权利要求7所述的透明导电薄膜，进一步包括在衬底与导电层之间有缓冲层。

14.一种权利要求1所述的纳米导线结构在器件中的应用，其特征在于，所述的器件为显示屏、触摸屏、传感器、太阳能电池或导热板。

15.一种权利要求7所述的透明导电膜在器件中的应用，其特征在于，所述的器件为显示屏、触摸屏、传感器、太阳能电池或导热板。