[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410443424.5 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104425620B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 李东洙;李明宰;赵成豪;穆罕默德·拉基布·乌丁;大卫·徐;梁炆承;李商文;李成训;许智贤;黄义澈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
化合物半导体层，其包含第Ⅲ到第Ⅵ主族中的至少一种元素；
电介质层，其布置在所述化合物半导体层上；
氧吸附层，其插入在所述化合物半导体层与所述电介质层之间，所述氧吸附层包含与所述化合物半导体层的材料相比对氧有更高亲和性的材料；以及
钝化层，其插入在所述化合物半导体层与所述氧吸附层之间，并且被构造为抑制所述化合物半导体层的表面被氧化，
其中，所述电介质层、所述氧吸附层和所述钝化层按顺序直接接触并且所述电介质层、所述氧吸附层和所述钝化层中的每一个是单层，
其中，所述氧吸附层包含掺杂金属，所述掺杂金属通过将氧化后具有高电介质常数的金属掺入易被氧化的金属中来获得。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述掺杂金属包括Y掺杂Zr和Al掺杂Zr中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述氧吸附层的厚度等于或小于10nm。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电介质层包括HfO2、Al2O3、La2O3、ZrO2、HfSiO、HfSiON、HfLaO、LaAlO和SrTiO中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述钝化层包含形成在所述化合物半导体层表面上的S、N、F、Cl和H中的至少一种。
6.一种制造半导体器件的方法，该方法包括步骤：
在化合物半导体层的表面上形成钝化层，所述钝化层被构造为抑制所述化合物半导体层的表面被氧化；
在所述钝化层的表面上形成氧吸附层，所述化合物半导体包含第Ⅲ到第Ⅵ主族的至少一种元素，所述氧吸附层包含与所述化合物半导体层的材料相比对氧有更高亲和性的材料；以及
在所述氧吸附层上形成电介质层，
其中，所述电介质层、所述氧吸附层和所述钝化层按顺序直接接触并且所述电介质层、所述氧吸附层和所述钝化层中的每一个是单层，
其中，所述氧吸附层包含掺杂金属，所述掺杂金属通过将氧化后具有高电介质常数的金属掺入易被氧化的金属中来获得。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述掺杂金属包括Y掺杂Zr和Al掺杂Zr中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述形成氧吸附层的步骤包括使用原子层沉积方法、化学气相沉积方法或溅射法。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括步骤：
对所述氧吸附层和所述电介质层中的至少一个进行热处理。
10.根据权利要求6所述的方法，其中所述钝化层包含形成在所述化合物半导体层表面上的S、N、F、Cl和H中的至少一种。
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