[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 201410443035.2 | 申请日: | 2014-09-02 |
公开(公告)号: | CN104992896B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 根来世;村元僚;永井泰彦;大须贺勤;岩田敬次 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/04 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅会;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
1.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
药液供给工序,将第1温度的药液供给到基板的主面,
冲洗液供给工序,在所述药液供给工序之后,通过将比第1温度低的第2温度的冲洗液供给到基板的主面,来冲洗残留在基板上的液体,以及
反应液供给工序,在所述药液供给工序后且在所述冲洗液供给工序前,在所述药液供给工序中供给到基板的药液残留在基板上的状态下,将液温比第1温度低且在第2温度以上的反应液供给到基板的主面,该反应液能够通过与药液混合发生发热反应;
所述反应液供给工序包括:
供给开始工序,在旋转的基板的主面的整个区域被药液覆盖的状态下,在基板的主面的中央部和周缘部之间的中间部开始对基板的主面供给反应液,
着落位置移动工序,在所述供给开始工序之后,在旋转的基板的主面的整个区域被药液以及反应液覆盖的状态下,使反应液着落在基板的主面上的着落位置从中间部移动到中央部。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
所述反应液供给工序包括:沿着相对于基板的主面倾斜的喷出方向喷出反应液的工序。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其特征在于,
所述反应液供给工序包括:以越接近基板的主面越处于基板的中心一侧的方式,沿着相对于基板的主面倾斜的喷出方向喷出反应液的工序。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述药液供给工序中向基板供给的药液是,液温比第1温度低且在第2温度以上的反应药液和能够通过与反应药液混合而发热的发热药液的混合液,
所述反应液供给工序包括将作为反应液的反应药液向基板的主面供给的工序。
5.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
基板保持单元,保持基板并使基板旋转,
药液供给单元,向保持于所述基板保持单元的基板的主面喷出第1温度的药液,
冲洗液供给单元,向保持于所述基板保持单元的基板的主面喷出比第1温度低的第2温度的冲洗液;
反应液供给单元,向保持于所述基板保持单元的基板的主面喷出液温比第1温度低且在第2温度以上的反应液,所述反应液能够通过与药液混合发生发热反应,
控制装置,控制所述基板保持单元、所述药液供给单元、所述冲洗液供给单元以及所述反应液供给单元;
所述控制装置执行:
药液供给工序,将第1温度的药液供给到基板的主面,
冲洗液供给工序,在所述药液供给工序后,通过将第2温度的冲洗液供给到基板的主面,来冲洗残留在基板上的液体,
反应液供给工序,在所述药液供给工序后且在所述冲洗液供给工序前,在所述药液供给工序中供给到基板的药液残留在基板上的状态下,将液温比第1温度低且在第2温度以上的反应液供给到基板的主面,
所述反应液供给工序包括:
供给开始工序,在旋转的基板的主面的整个区域被药液覆盖的状态下,在基板的主面的中央部和周缘部之间的中间部开始对基板的主面供给反应液,
着落位置移动工序,在所述供给开始工序之后,在旋转的基板的主面的整个区域被药液以及反应液覆盖的状态下,使反应液着落在基板的主面上的着落位置从中间部移动到中央部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯克林集团公司,未经斯克林集团公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410443035.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理装置以及基板处理方法
- 下一篇:一种永磁机构断路器的欠压脱扣装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造