[发明专利]一种基于薄膜晶体管的反相器

权利要求书

1.一种基于薄膜晶体管的反相器，其特征在于：包括串联的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管结构相同，均包括衬底（10），设在衬底上的底栅（11），设在衬底（10）上并且覆盖底栅（11）的栅氧化层（12），设在栅氧化层（12）上的沟道层（13），设在沟道层（13）上相对两侧的源极（14）、漏极（15），设在沟道层（13）上以及源极（14）、漏极（15）上的隧穿层（21），设在隧穿层（21）上的存储层（22），设在存储层（22）上的阻挡层（23），以及设在阻挡层（23）上的顶栅（16），所述顶栅（16）位于底栅（11）正上方。

2.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的反相器，其特征在于：所述第一薄膜晶体管为增强型晶体管，第二薄膜晶体管为耗尽型晶体管。

3.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的反相器，其特征在于：所述隧穿层（21）为二氧化硅，厚度在3 nm～15 nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的反相器，其特征在于：所述存储层（22）为氮化硅、二氧化铪或氮氧化铪，厚度在2 nm～10 nm。

5.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的反相器，其特征在于：所述阻挡层（23）为三氧化二铝，厚度在10 nm～50 nm。

6.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的反相器，其特征在于：所述衬底（10）为玻璃、绝缘聚合物或覆盖有氧化层的硅片。