[发明专利]工艺控制方法与工艺控制系统有效
| 申请号： | 201410441976.2 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105336646B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 吴俊达;萧世宗;陈建中;吴皇卫;陈煌文;彭圣修 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 工艺 控制 方法 控制系统 | ||
1.一种半导体工艺控制方法，适用于对批次的多个晶圆进行沉积工艺，包括：
根据机台的历史信息与批次的产品信息来决定批次的晶圆的摆放位置；
根据所述批次的晶圆的摆放位置与所述机台的历史信息来求出各摆放位置的目标值；
根据所述机台的历史信息、所述批次的产品信息以及所述各摆放位置的目标值来求出工艺参数；以及
根据所述批次的晶圆的摆放位置与所述工艺参数进行沉积工艺。
2.如权利要求1所述的半导体工艺控制方法，其中在根据所述机台的历史信息与所述批次的产品信息来决定所述批次的晶圆的摆放位置的步骤中，由式(1)求出最小差异组合，来对批次的晶圆进行位置排序：
式(1)中，L(i)为各批次在工艺前的特性，F(j)为工艺位置均匀性特性，w(k)为各产品对差异的要求的权重。
3.如权利要求1所述的半导体工艺控制方法，其中，所述晶圆摆放的特定位置L的目标值是由式(2)所算出：
Monitor TargetL＝α+γ(厚度目标值)+β(产品|厚度目标值)(2)
式(2)中，α为特定工艺方法下，监控晶圆的基本沉积厚度值；γ为所有产品在不同目标值下，监控晶圆的沉积厚度的调整值；β为各产品在特定目标值下，产品上沉积厚度的调整值。
4.如权利要求1所述的半导体工艺控制方法，其中所述工艺参数包括依据负载效应关系所求出的加热区温度与沉积时间，所述工艺参数先计算沉积时间，再计算加热区所需温度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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