[发明专利]一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶及其封装工艺

权利要求书

1.一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶，包括A组分和B组分，其中,

A组分：

B组分：

A组分和B组分的质量比为1：1。

2.根据权利要求1所述的一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶，其特征在于，所述甲基乙烯基聚硅氧烷树脂为以下结构式(1)和结构式(2)中的一种或二者的混合；

(Me₃SiO_0.5)_a(ViMe₂SiO_0.5)_b(SiO₂)  (1)

其中，a＝0.6～1.2，b＝0.6～1.2

(Me₃SiO_0.5)_c(ViMe₂SiO_0.5)_d(Me₂SiO)(MeSiO_1.5)  (2)

其中，c＝0.7～1.2，d＝0.4～1.3。

3.根据权利要求1所述的一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶，其特征在于，所述甲基乙烯基硅油为以下结构式(3)和结构式(4)中的一种或二者的混合；

(ViMe₂SiO_0.5)(Me₂SiO)_e(ViMe₂SiO_0.5)  (3)

其中，e＝50～200

(ViMe₂SiO_0.5)(Me₂SiO)_f(ViMeSiO)_g(ViMe₂SiO_0.5)  (4)

其中，f＝30～200，g＝60～100。

4.根据权利要求1所述的一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶，其特征在于，所述交联剂为以下结构式(5)和结构式(6)中的一种或二者的混合；

(HMe₂SiO_0.5)(Me₂SiO)_i(HMe₂SiO_0.5)  (5)

其中，i＝4～20

(Me₃SiO_0.5)(Me₂SiO)_j(HMeSiO)_k(Me₃SiO_0.5)  (6)

其中，j＝6～18，k＝2～10。

5.根据权利要求1所述的一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶，其特征在于，所述冲击改性剂的结构式如通式(7)所示:

其中，x＝5～20，y＝5～20，z＝10～50。

6.根据权利要求1所述的一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶，其特征在于，所述耐候剂的结构式如通式(8)所示:

其中，m＝4～10，n＝8～20。

7.根据权利要求1所述的一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶，其特征在于，所述粘附力剂的结构式如通式(9)所示：

其中，h＝5～20。

8.根据权利要求1所述的一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶，其特征在于，所述催化剂为铂系催化剂；所述抑制剂选自3-甲基-1-丁炔-3-醇、3-甲基-1-戊炔-3-醇、以及3，5-二甲基-1-己炔-3-醇中的任意一种。

9.权利要求1-9任一权利要求所述的高强度IGBT大功率模块封装硅胶在IGBT功率模块封装工艺中的应用。

10.权利要求1-9任一权利要求所述的高强度IGBT大功率模块封装硅胶的制备方法，包括以下步骤：

1)A组分的制备：室温下，称量甲基乙烯基聚硅氧烷树脂40～50份、甲基乙烯基硅油23～50份、冲击改性剂5～15份、耐候剂1～5份、粘附力剂3～6份、催化剂0.1～1份依次加入双行星高速分散机中，充分搅拌混合均匀，抽真空后灌装并密封保存完成；

2)B组分的制备：室温下，称量甲基乙烯基聚硅氧烷树脂30～50份、甲基乙烯基硅油30～50份、交联剂5～20份、抑制剂0.1～0.5份依次加入双行星高速分散机中，充分搅拌混合均匀，抽真空后灌装并密封保存完成。