[发明专利]一种压电陶瓷的驱动放大电路

权利要求书

1.一种压电陶瓷的驱动放大电路，由差分输入电路、电压放大电路和电流放大电路组成；其特征是，所述差分输入电路的输出端与电压放大电路的输入端连接，电压放大电路的输出端与电流放大电路的输入端连接，所述电流放大电的输出端串联电阻后与压电陶瓷组成RC充放电电路给压电陶瓷供电；

所述的差分输入电路由耗尽型MOS管Q6、电阻R6、由分晶体管Q1_A和分晶体管Q1_B组成的差分对管Q1、高压晶体管Q2和Q3、由三极管Q4_A和三极管Q4_B组成的电流源三极管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3以及二极管D1组成；所述电压放大电路由可变电阻R4、可变电阻R5、晶体管Q5、耗尽型MOS管Q7和R7组成；所述电流放大电路由高压MOS管M1、高压MOS管M2、电阻R8、电阻R9和电阻R10组成；

所述耗尽型MOS管Q6的源极串联电阻R6作为差分输入电路的恒流源，所述分晶体管Q1_A和分晶体管Q1_B的发射极相连并与恒流源的输出端相连，差分对管Q1_A和Q1_B的基极分别作为差分输入电路的同向输入端和反向输入端，分晶体管Q1_A和分晶体管Q1_B的集电极分别连接高压晶体管Q2和Q3的发射极；所述高压晶体管Q2和高压晶体管Q3基极相连，集电极分别连接电流源三极管Q4_A和Q4_B的集电极，所述高压晶体管Q2的集电极作为差分输入电路的反向输出端，高压晶体管Q3的集电极作为差分输入电路的同向输出端；所述电流源三极管Q4_A和Q4_B的基极相连后与三极管Q4_A的集电极相连，所述电流源三极管Q4_A和Q4_B的发射极分别串接电阻R1和R2最终接在正电压源VCC上；所述电阻R3的一端与正电压源VCC相连，另一端串联二极管D1后与耗尽型MOS管Q6组成的恒流源的输出端连接，所述二极管D1与电阻R3连接的一端作为稳定电压输出端连接于高压晶体管Q2和高压晶体管Q3的基极；

所述晶体管Q5的发射极串联可变电阻R4后与正电压源VCC连接，所述晶体管Q5的基极作为输入端与差分输入电路的反向输出端相连，晶体管Q5的集电极串联可变电阻R5与耗尽型MOS管Q7的输出端相连，所述耗尽型MOS管Q7的源极串联R7作为电压放大电路的恒流源；

所述高压MOS管M1和高压MOS管M2的漏极分别与正电压源VCC和负电压源VSS相连，栅极分别作为电压放大电路的输入端串接电阻R8和R9后接在可变电阻R5的两端，所述高压MOS管M1和高压MOS管M2的源级相连并作为电流放大电路的输出端，同时所述输出端与电阻R10串联后用于驱动压电陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种压电陶瓷的驱动放大电路，其特征在于，所述分晶体管Q1_A和Q1_B选择型号为SMM2212的晶体管，高压晶体管Q2和Q3选择型号为CZTA44的高压三极管，电流源三极管Q4_A和Q4_B选择型号为BCM62B的镜像电流源三极管，晶体管Q5为FZT560高压三极管，耗尽型MOS管Q6和Q7为CPC5603耗尽型MOS管，高压MOS管M1和M2分别为IXTA10N60P及IXTH10N60高压MOS管；电阻R1至电阻R3、电阻R6至R9为贴片电阻；电阻R10为大功率的电阻。