[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述制作方法包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆的正面形成第一键合界面层；提供支撑晶圆，在所述支撑晶圆的表面上形成第二键合界面层；对所述支撑晶圆执行氢离子注入，在离所述第二键合界面层有预定深度的区域中形成氢离子注入层；进行键合工艺，将所述器件晶圆的所述第一键合界面层和所述支撑晶圆的所述第二键合界面层相接合；对所述器件晶圆的背面进行减薄；执行退火处理实现氢脆碎裂解键合，以剥离大部分的所述支撑晶圆；去除剩余所述支撑晶圆。根据本发明的制作方法，无需其它的键合介质，成本低效率高，制程成熟简单，解键合的方法，均匀性好，无需其它工具，制程简单操作性强。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法和电子装置。

背景技术

在半导体技术中,绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和电力晶体管(即巨型晶体管，简称GTR)的低导通压降两方面的优点，因此，IGBT作为一种必须的开关器件被广泛的应用在变频器和逆变器等电路结构中。

出于降低能量损失及提高散热性等目的，往往需要对IGBT器件进行减薄，然而晶圆越薄其在不同工序间传输和加工过程中就更易发生碎裂和变形。目前对于减薄的晶圆有两种处理方法：一种是Disco的Taiko晶圆(Wafer)方法；另一种方法是临时键合/解键合(temporary bonding/de-bonding)的方法。

图1示出了一种现有的IGBT的制作工艺流程，其中IGBT目前多采用Taiko研磨来进行晶圆的减薄(厚度为50～60μm)，而Taiko晶圆在正常的传输过程中非常容易发生破裂，进而可能影响IGBT背部工艺的正常进行。

因此，为了解决上述技术问题，有必要提出一种新的半导体器件的制作方法。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明实施例一提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供器件晶圆，在所述器件晶圆的正面形成第一键合界面层；

提供支撑晶圆，在所述支撑晶圆的表面上形成第二键合界面层；

对所述支撑晶圆执行氢离子注入，在离所述第二键合界面层有预定深度的区域中形成氢离子注入层；

进行键合工艺，将所述器件晶圆的所述第一键合界面层和所述支撑晶圆的所述第二键合界面层相接合；

对所述器件晶圆的背面进行减薄；

执行退火处理实现氢脆碎裂解键合，以剥离大部分的所述支撑晶圆；

去除剩余所述支撑晶圆。

可选地，所述第一键合界面层的材料为氧化物。

可选地，所述第一键合界面层的厚度为

可选地，形成所述第一键合界面层的方法包括以下步骤：

在所述器件晶圆的正面沉积第一键合界面材料层；

对所述第一键合界面材料层执行化学机械研磨，以获得第一键合界面层。

可选地，通过热氧化的方法，在所述支撑晶圆表面形成热氧化氧化硅层作为所述第二键合界面层。

可选地，所述预定深度为50～150埃。