[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410438399.1 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105448729B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 鳍部 半导体结构 离子 半导体衬底表面 防扩散层 防扩散 隔离层 表面形成 顶部表面 侧壁 衬底 分立 半导体 覆盖 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有若干分立的鳍部；
在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖部分鳍部的侧壁；
在所述鳍部表面形成防扩散层，所述防扩散层在后续进行离子注入的过程中对注入离子起到散射作用，使得注入离子的注入方向偏离鳍部的晶格沟道方向；
形成所述防扩散层后，对所述鳍部进行防扩散离子注入；
对所述鳍部进行防扩散离子注入之后，在对所述鳍部进行N型或P型掺杂离子注入。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述防扩散层为非晶态结构。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述防扩散层的材料为氮氧化硅。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成所述防扩散层。
5.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述防扩散层的厚度为0.5nm～10nm。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述防扩散离子注入的防扩散离子为C。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述防扩散离子注入的离子剂量为5E12atom/cm2～5E14atom/cm2。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述防扩散离子注入的温度为20℃～50℃。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述N型或P型掺杂离子注入过程中，对半导体衬底加热，使所述半导体衬底温度为300℃～600℃。
10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述N型或P型掺杂离子注入为源漏离子注入、阈值调整注入或阱注入。
11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述N型掺杂离子包括P、As或Sb。
12.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述P型掺杂离子包括B、Ga或In。
13.根据权利要求1或9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述N型或P型掺杂离子注入的N型或P型掺杂离子位于防扩散离子上方。
14.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括在进行N型或P型掺杂离子注入之后，进行退火处理。
15.根据权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理可以采用炉管退火、快速热退火、激光尖峰退火或闪光退火工艺。
16.根据权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的温度为600℃～1200℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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