[发明专利]垂直磁记录介质及磁记录再现装置在审

专利信息
申请号: 201410438089.X 申请日: 2014-08-29
公开(公告)号: CN104575529A 公开(公告)日: 2015-04-29
发明(设计)人: 及川壮一 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/851
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;刘航
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 垂直 记录 介质 再现 装置
【说明书】:

相关申请

本申请以日本专利申请2013-212792号(申请日:2013年10月10日)以及2014-134349号(申请日:2014年6月30日)为基础申请,享受优先权。本申请通过参照这些基底申请,包含基底申请的全内容。

技术领域

本发明的实施例涉及垂直磁记录介质及磁记录再现装置。

背景技术

现在,HDD的介质采用CoCrPt-氧化物颗粒型的磁记录层,为了提高面记录密度,必须减小CoCrPt磁性粒子。但是,若减小磁性粒子,则热稳定性降低,数据容易消失。热稳定性能够通过提高垂直磁各向异性来改善,但是,高速磁化反转时的顽磁力也变高,若比头部的记录磁场大,则无法进行充分的记录。

虽然研究了称为BPM(Bit Patterned Media:比特格式媒体)的解决方案,但是加工磁记录层时介质表面的平坦性恶化,头部和介质容易发生接触,因此,优选是不进行表面加工的介质。另外,在BPM中进行加工时,确定了伺服和/或数据比特的位置,但是优选在介质完成后能够自由设定。

从而,提出了称为PPM(Percolated Perpendicular Media:渗出垂直媒体)的介质。PPM中,通过在磁畴壁移动型的磁性层中形成空孔和/或非磁性的钉扎位点而钉住磁畴壁,来维持比特。被磁畴壁包围的1比特成为热波动的单位,因此热稳定性高,由于磁畴壁移动,顽磁力变低,因此能够期待记录的容易性。但是,在实验方面,例如CoPt-氧化物基础的PPM存在垂直磁各向异性不足和加热的问题,为了加工基板,Co/Pt-空孔型的PPM在表面的平坦性存在问题。

发明内容

本发明的实施例的目的是提供可同时实现热稳定性和记录容易性,获得高面记录密度的垂直磁记录介质。

根据实施例,可提供一种垂直磁记录介质,其具备:

基板;

基底层,其设置在该基板上,包括晶粒,该晶粒间的晶界宽度小于0.5nm;及

多层磁记录层,其与该基底层接触地形成于该基底层上,由磁性层和非磁性层分别交替层叠二层以上而成;

上述磁性层具有,以Co为主成分的磁性晶粒,和包括分散于该磁性层全体的氧化物、能够钉住磁畴壁的多个钉扎位点;

其是在磁记录层全体的范围、在面内方向交换耦合的磁连续的膜;

具有顽磁力附近的磁化曲线的斜率α为5以上的磁特性。

附图说明

图1是表示第1实施例的垂直磁记录介质的一例的示意剖视图。

图2是表示第2实施例的垂直磁记录介质的其他一例的示意剖视图。

图3是表示从平面观察图1的多层垂直磁记录层的构造的示意图。

图4是将实施例的磁记录再现装置的一例部分分解的立体图。

图5是表示实施例中采用的基底层的平面TEM图像照片。

图6是表示实施例的磁记录介质的一例的剖面构造的DF-STEM图像照片。

图7是表示实施例的磁记录介质的磁化曲线的图。

图8是表示实施例的磁记录介质的一例的氧化物添加量和磁特性的关系的曲线图。

图9是表示实施例的磁记录介质的其他一例的剖面构造的DF-STEM图像照片。

图10是表示实施例的磁记录介质的多层磁记录层的平面构造的DF-STEM图像照片。

图11是表示实施例的磁记录介质的其他一例的氧化物添加量和磁特性的关系的曲线图。

图12是表示比较的磁记录介质的磁化曲线的图。

图13是表示实施例的磁记录介质的其他一例的氧化物添加量和磁特性的关系的曲线图。

图14是表示实施例的磁记录介质的其他一例的氧化物添加量和磁特性的关系的曲线图。

图15是表示实施例的磁记录介质的其他一例的氧化物添加量和磁特性的关系的曲线图。

图16是表示从上方观察实施例的垂直磁记录介质的一例的微磁仿真计算模型的图。

图17是表示第1实施例的垂直磁记录介质的一例的面内方向的微磁仿真计算模型的一例的图像的照片。

图18是表示第1实施例的垂直磁记录介质的其他一例的面内方向的微磁仿真计算模型的一例的图像的照片。

图19是第2实施例的垂直磁记录介质的一例的微磁仿真计算模型的立体图。

图20是表示第2实施例的垂直磁记录介质的一例的面内方向的微磁仿真计算模型的一例的图像的照片。

图21是表示第2实施例的垂直磁记录介质的一例的面内方向的微磁仿真计算模型的一例的图像的照片。

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