[发明专利]显示装置的阵列基板的返工方法和通过其形成的阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于显示装置的阵列基板的返工(rework)方法和一种由该返工方法所形成的阵列基板。特别地，本发明涉及一种阵列基板的返工方法，其能够防止在返工工艺时由于阵列基板的缺陷而损坏用于互连公共电极层(Vcom ITO)和非有效区域的公共电极(Vcom)金属线的跳接(jumping)钝化孔(PAS孔)区域中的公共电极层。

背景技术

随着信息社会的发展，对显示图像的显示装置的各种类型的要求在提高。近来，诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)以及有机发光二极管显示装置(OLED)的各种显示装置正被使用。

在那些显示装置之中，液晶显示器(LCD)装置包括：阵列基板，该阵列基板包括作为用于控制每个像素区域的开/关的开关装置的薄膜晶体管；上基板，该上基板包括滤色器和/或黑矩阵；显示面板，该显示面板包括形成在阵列基板与上基板之间的液晶层；以及驱动单元，该驱动单元用于控制薄膜晶体管。在LCD装置中，根据在像素区域处设置的像素(PXL)电极和公共电压(Vcom)电极之间施加的电场来控制液晶层的配向，以便调整光的透射比并且从而形成图像。

在阵列基板中，定义了包括一个或多个像素的有效区域(AA)和非有效区域(NA)。此外，多条选通线(GL)和多条数据线(DL)彼此交叉以在阵列基板(其通常被称作下基板)的有效区域AA的内表面上定义像素(P)，并且在选通线与数据线之间的每个交叉部被设置有薄膜晶体管T，其与每个像素P中的透明像素电极(未示出)具有一一对应的关系并且被连接到每个像素P中的透明像素电极(未示出)。

在阵列基板上，多个层(诸如栅金属层、半导体层、源/漏金属层、像素电极层以及公共电极层)被形成以创建如上面所描述的这样的薄膜晶体管和电线，并且可以在每个层之间形成中间层绝缘层和保护层。

同时，存在扭曲向列(TN)方案，其中液晶被注入在彼此分离的其上形成有像素电极的阵列基板和其上形成有公共电压电极的上基板之间，并且在与基板垂直的方向上驱动处于向列相的液晶分子。然而，如上面所描述的扭曲向列方案的液晶显示装置的缺陷在于它具有约90度的窄视角。

在这点上，存在在与基板平行的方向上驱动液晶分子以从而将视角提高至170度或更大的面内切换(IPS)型液晶显示装置。IPS型液晶显示装置基本上包括同时地形成于下基板或阵列基板上的像素电极和公共电压电极。然而，存在两种类型的IPS型液晶显示装置，包括其中像素电极和公共电压电极两者都形成于相同层上的一个类型以及边缘场切换(FFS)类型，在FFS类型中，两个电极被形成为在它们之间有一个或多个绝缘层的情况下水平地与彼此间隔开并且电极中的一个具有手指的形状。

此外，可以在在阵列基板的有效区域(AA)外的非有效区域(NA)的一部分上形成用于连接到布置在基板的内部或外部处的驱动单元的连接垫、用于施加参考电压和参考信号的信号施加垫以及用于测量的各种垫。

同时，在阵列基板的非有效区域上形成用于施加公共电压(Vcom)的公共电压金属线，并且这个公共电压金属线应该被连接到布置在有效区域中的公共电极。

如上面所描述的，形成了用于电互连非显示区域的公共电压金属线和公共电极层的跳接钝化孔(PAS孔)，并且公共电极和像素电极在跳接钝化孔区域中与彼此接触并且堆叠于彼此上。

同时，当在作为阵列基板的最高电极层的像素电极层中发生缺陷时，返工工艺被执行以去除并且然后重建像素电极层，即最高电极层。在返工工艺中，可以同时地去除如上面所描述的跳接钝化孔中的公共电极和像素电极以在经重建的(返工的)像素电极层与公共电极层之间引起接触故障。

发明内容

本发明的一个方面在于提供阵列基板返工方法和由该返工方法形成的阵列基板，其能够在其中跳接像素电极图案是最高层的用于显示装置的阵列基板中在其返工工艺中防止在跳接像素电极图案中发生缺陷。

本发明的另一方面在于提供阵列基板返工方法和由该返工方法形成的阵列基板，其能够在用于电互连形成在显示面板的非有效区域处的公共电压金属线和公共电极层的跳接钝化孔区域中在返工工艺期间防止跳接像素电极图案和公共电极层的去除，以便最小化由于跳接像素电极图案返工工艺而导致的故障。

本发明的另一方面在于提供阵列基板返工方法和由该返工方法形成的阵列基板，其在返工跳接像素电极图案(阵列基板的最高层)的工艺中使用具有与跳接钝化孔区域相对应的光阻挡图案的返工掩模，使得能够在返工工艺之后维持在跳接钝化孔区域中的跳接像素电极图案与公共电极层之间的电接触。