[发明专利]场致发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种场致发光器件，其特征在于，包括：

设置在支承基板上的绝缘层；

设置在所述绝缘层上的具有光反射面的第一电极；

覆盖所述第一电极的周缘区域的堤堰层；

设置在所述第一电极上的场致发光层；和

设置在所述场致发光层上的光透射性的第二电极，

所述绝缘层在所述第一电极的周缘区域具有包含向所述第二电极侧弯折的倾斜面的台阶部，所述第一电极的周缘区域沿所述台阶部的倾斜面设置。

2.如权利要求1所述的场致发光器件，其特征在于：

设置于所述绝缘层的所述台阶部的高度大于所述场致发光层的厚度。

3.如权利要求1所述的场致发光器件，其特征在于：

设置于所述绝缘层的所述台阶部的高度为所述堤堰层的厚度以上。

4.如权利要求1所述的场致发光器件，其特征在于：

在设置于所述绝缘层的所述台阶部的上侧表面，还设置有突起物。

5.如权利要求1所述的场致发光器件，其特征在于：

设置于所述绝缘层的所述台阶部设置成埋设于所述堤堰层。

6.一种场致发光器件，其在支承基板上矩阵状地排列有像素，所述像素具有：薄膜晶体管；与所述薄膜晶体管连接的具有光反射面的第一电极；设置在所述第一电极上的场致发光层；设置在所述场致发光层上的光透射性的第二电极，所述场致发光器件的特征在于：

具有在所述薄膜晶体管上以与所述第一像素电极邻接的方式设置的绝缘层、和覆盖所述第一电极的周缘区域的堤堰层，

所述绝缘层在所述第一电极的周缘区域具有包含向所述第二电极侧弯折的倾斜面的台阶部，所述第一电极的周缘区域沿所述台阶部的倾斜面设置。

7.如权利要求6所述的场致发光器件，其特征在于：

设置于所述绝缘层的所述台阶部的高度大于所述场致发光层的厚度。

8.如权利要求6所述的场致发光器件，其特征在于：

设置于所述绝缘层的所述台阶部的高度为所述堤堰层的厚度以上。

9.如权利要求6所述的场致发光器件，其特征在于：

在设置于所述绝缘层的所述台阶部的上侧表面，还设置有突起物。

10.如权利要求6所述的场致发光器件，其特征在于：

设置于所述绝缘层的所述台阶部设置成埋设于所述堤堰层。

11.一种场致发光器件的制造方法，其特征在于：

在支承基板上形成绝缘层，所述绝缘层具有大致平坦的第一主面，在比该第一主面高的位置具有第二主面，在该第一主面与该第二主面之间具有倾斜面从该第一主面向该第二主面扩展的台阶部，

从所述绝缘层的所述第一主面沿所述台阶部的倾斜面形成具有光反射面的第一电极，

形成覆盖所述台阶部和所述第一电极的周缘区域的堤堰层，

在所述第一电极上形成场致发光层，

在所述场致发光层上形成光透射性的第二电极。

12.如权利要求11所述的场致发光器件的制造方法，其特征在于：

在所述绝缘层中，从所述第二主面挖掘所述绝缘层将开口槽的底面作为所述第一主面，形成所述台阶部。

13.如权利要求11所述的场致发光器件的制造方法，其特征在于：

在所述绝缘层中，还在所述第一主面之上选择性地形成绝缘层作为所述第二主面，形成所述台阶部。

14.如权利要求11所述场致发光器件的制造方法，其特征在于：

在所述绝缘层的所述第二主面之上还形成突起物。

15.如权利要求11所述的场致发光器件的制造方法，其特征在于：

所述绝缘层的台阶部的高度形成为大于所述场致发光层的厚度。