[发明专利]LED恒流装置

说明书

技术领域

本发明涉及电子电路领域，尤其涉及LED恒流装置。

背景技术

目前市场上低压LED恒流电路多是DC-DC转换电路，其存在着以下缺陷：

1.效率低：在24V及以下电压供电时只有90％左右；

2.成本高：DC-DC转换电路一般由控制芯片、MOSFET管、储能电感、EMI原件等部分组成，电路复杂，成本高；

3.易有EMI问题：DC-DC转换电路因用到高频开关电路，易有EMI问题。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种LED恒流装置。

本发明提供了一种LED恒流装置，包括电压基准源电路、过压保护电路、恒流电路、双运放芯片，所述恒流电路包括MOSFET管，所述电压基准源电路用于产生三路基准电压，三路基准电压分别为VCC、VREF、VREF2，VCC用于双运放芯片工作电压，VREF2用于过压保护电路参考电压，VREF用于恒流电路参考电压，所述过压保护电路用于通过检测输入电压与参考电压比较输出高低电平控制MOSFET管关断，所述恒流电路用于通过检测电路电流与参考电压比较输出高低电平调节MOSFET管输出电流。

作为本发明的进一步改进，所述电压基准源电路包括稳压芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻，所述第一电阻一端连接至VCC1，所述第一电阻另一端与所述稳压芯片的负极和第二电阻连接至VCC，所述第二电阻另一端与稳压芯片的参考电压输入端和第三电阻连接至VREF2，所述第三电阻另一端与所述第四电阻和所述第五电阻连接至VREF；所述第四电阻和所述第五电阻另一端接地，所述稳压芯片的正极接地；所述双运放芯片的B部分的第5脚分别与所述第三电阻、第四电阻、第五电阻连接。

作为本发明的进一步改进，所述过压保护电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第四电容，三极管、双运放芯片的A部分，所述第九电阻分别与所述双运放芯片的A部分的第3脚、第十电阻、所述第四电容连接，所述第十电阻另一端接地，所述第四电容另一端接地，所述双运放芯片的A部分的第2脚与稳压芯片的参考电压输入端连接，所述第八电阻一端与所述双运放芯片的A部分的第1脚连接，所述第八电阻另一端与所述三极管的B脚连接，所述三极管的C脚与MOSFET管的G脚连接，所述三极管的E脚接地。

作为本发明的进一步改进，所述恒流电路包括第六电阻、第七电阻、第十一电阻、第二电容、MOSFET管、双运放芯片的B部分，所述第七电阻一端分别与所述双运放芯片的B部分的第6脚和所述第二电容连接，所述第七电阻另一端分别与所述第二电容另一端、所述第十一电阻、所述MOSFET管的S脚连接，所述第十一电阻另一端接地，所述电压基准源电路的VREF和所述双运放芯片的B部分的第5脚连接，所述第六电阻一端与所述双运放芯片的B部分的第7脚连接，所述第六电阻另一端与所述MOSFET管的G脚连接，所述MOSFET管的D脚与输出端连接。

作为本发明的进一步改进，该LED恒流装置还包括作为防反接保护二极管的二极管,所述二极管正极与供电电源正极相连，所述二极管负极给整个恒流电路供电，所述二极管负极连接至VCC1，所述第九电阻一端与所述二极管负极相连，所述第九电阻另一端分别与所述双运放芯片的A部分的第3脚、第十电阻、所述第四电容连接。

作为本发明的进一步改进，该LED恒流装置还包括第五电容，所述第五电容一端接所述MOSFET管S脚，所述第五电容另一端接MOSFET管D脚。

作为本发明的进一步改进，该LED恒流装置还包括第一电容，所述第一电容一端接供电电源正极，所述第一电容另一端接供电电源负极。

作为本发明的进一步改进，该LED恒流装置还包括第三电容，所述第三电容一端接所述双运放芯片的第8脚，所述第三电容另一端与所述双运放芯片的第4脚一起接地。

作为本发明的进一步改进，所述稳压芯片的负极与所述双运放芯片的供电输入端连接。

本发明的有益效果是：本发明的电路简单、成本低、效率高、无EMI问题、并且恒流精度高，温漂小。

附图说明

图1是本发明的电路图。

具体实施方式

如图1所示，本发明公开了一种LED恒流装置，包括电压基准源电路、过压保护电路、恒流电路、二极管(D1)，所述二极管(D1)作为防反接保护二极管，正极与供电电源正极相连，负极给整个恒流电路供电。