[发明专利]一种低烧微波介质陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低烧微波介质陶瓷材料，其结构表达式为：(Li_0.5Re_0.5)_xBi_1-xW_xV_1-xO₄ ，式中：Re= La、Nd、 Sm、Dy或Gd，0.05≤x≤0.1。

2.权利要求1所述的低烧微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）将原料Bi₂O₃，V₂O₅，Li₂CO₃，La₂O₃，Nd₂O₃，Sm₂O₃，Dy₂O₃，Gd₂O₃和WO₃ 按配方通式BiVO₄和Li_0.5Re_0.5WO₄分别配料，湿法球磨后烘干，预烧合成两种主晶相；

2）将预烧后的两种主晶相按配方通式(Li_0.5Re_0.5)_xBi_1-xW_xV_1-xO₄配料，其中0.05≤x≤0.1，再次湿法球磨后，烘干；

3）将步骤2）所得物造粒，压制成型，低温烧结，即得。

3. 根据权利要求2所述的低烧微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：在步骤1），湿法球磨使用的介质为酒精或去离子水，球磨时间20~40小时。

4. 根据权利要求2所述的低烧微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：在步骤1），BiVO₄在450~500℃预烧3~5小时，Li_0.5Re_0.5WO₄在550~650℃预烧3~5小时。

5. 根据权利要求2所述的低烧微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：在步骤2），再次湿法球磨使用的介质为酒精或去离子水，球磨时间20~40小时。

6. 根据权利要求2所述的低烧微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：在步骤2），烘干温度为60~100℃，烘干时间为8~24小时。

7. 根据权利要求2所述的低烧微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：在步骤3），造粒时的粘结剂选用PVA或PVB，采用重量百分比为3~5%的PVA水溶液或3~5%的PVB乙醇溶液；配制水溶液的水为去离子水。

8. 根据权利要求2所述的低烧微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：在步骤3），压制成型的压强为100~200Mpa。

9. 根据权利要求2所述的低烧微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：在步骤3），低温烧结的烧结温度为650℃～800℃，烧结时间为3~5小时。

10. 根据权利要求2所述的低烧微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：在步骤3），还包括在低温烧结前，在500℃~600℃排胶1-2小时。