[发明专利]发光二极管芯片的衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的衬底的制备方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上覆盖一缓冲层，并在缓冲层上覆盖一金属薄膜；

将承载缓冲层和金属薄膜的衬底高温回火使得金属薄膜形成相互间隔纳米级金属颗粒；

以金属颗粒为掩膜向下蚀刻缓冲层形成纳米柱；

去除纳米柱顶端的金属颗粒；

在衬底上设置图案化的光阻层，所述光阻层覆盖所述纳米柱且显露部分所述衬底表面，并对所述光阻层进行曝光显影在衬底表面形成若干相互间隔的离散光阻柱；以及

采用干式蚀刻法对衬底及光阻柱进行蚀刻，所述衬底与所述光阻柱均能够与蚀刻气体发生反应，以在衬底表面形成微米微结构并于所述微米微结构和衬底的表面进一步形成纳米微结构，所述微米微结构相互间隔并呈圆锥形，所述纳米微结构形成于所述微米微结构的锥形表面和各微米微结构之间的衬底表面上。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片的衬底的制备方法，其特征在于：所述衬底采用蓝宝石材料制成，所述缓冲层采用二氧化硅、二氧化钛、铟锡氧化物、氮化硅中的一种。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片的衬底的制备方法，其特征在于：所述在所述衬底上覆盖一缓冲层，并在缓冲层上覆盖一金属薄膜的步骤中所述缓冲层的厚度为100纳米至550纳米。

4.如权利要求1所述的发光二极管芯片的衬底的制备方法，其特征在于：所述在所述衬底上覆盖一缓冲层，并在缓冲层上覆盖一金属薄膜的步骤中所述金属薄膜的厚度为5纳米至100纳米。

5.如权利要求1所述的发光二极管芯片的衬底的制备方法，其特征在于：所述将承载缓冲层和金属薄膜的衬底高温回火使得金属薄膜形成相互间隔纳米级金属颗粒的步骤中所述金属颗粒的尺寸为1纳米至50纳米尺寸，所述金属颗粒的形状为球状或岛状金属颗粒。

6.如权利要求1所述的发光二极管芯片的衬底的制备方法，其特征在于：所述将承载缓冲层和金属薄膜的衬底高温回火使得金属薄膜形成相互间隔纳米级金属颗粒的步骤中所述高温回火的温度为650摄氏度至800摄氏度。

7.如权利要求1所述的发光二极管芯片的衬底的制备方法，其特征在于：所述在衬底上设置图案化的光阻层并进行曝光显影在衬底表面形成若干相互间隔的离散光阻柱的步骤中，每一光阻柱的直径为2微米，相邻两光阻柱之间的间距为1微米。

8.一种发光二极管芯片的衬底，其包括第一表面和相对的第二表面，该第一表面上形成有微米微结构，其特征在于：每一微米微结构呈圆锥形，所述微米微结构表面形成有纳米微结构，所述纳米微结构形成于所述微米微结构的锥形表面和各所述微米微结构之间的衬底表面上。