[发明专利]一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法

权利要求书

1.一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

一，在外延衬底上自下而上依次形成腐蚀截止层、粗化层、欧姆接触层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层；

二，在第二型电流扩展层上蒸镀金属反射镜，形成金属反射层；

三，将金属反射镜的表面键合在具有导电性的基板上；

四，采用湿法腐蚀分别去除外延衬底、腐蚀截止层，露出粗化层；

五，采用掩膜、光刻工艺在粗化层上形成扩展电极的图形，采用湿法腐蚀去除粗化层的扩展电极的图形区域，在粗化层表面形成扩展电极图形的沟槽，沟槽深度至露出欧姆接触层；

六，在沟槽内蒸镀金属材料形成扩展电极；

七，采用掩膜、光刻、蒸镀工艺在粗化层表面制作焊盘电极，且焊盘电极与扩展电极连接相通；

八，在扩展电极和焊盘电极区域形成保护层，去除粗化区域的保护层；

九，采用粗化液蚀刻粗化层的显露区域的表面，形成表面粗化形貌；

十，在基板背面蒸镀背电极，去除焊盘电极、扩展电极的保护层，裂片后得到具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管。

2.如权利要求1所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法，其特征在于，金属材料填充满沟槽直至与粗化层表面持平或高于粗化层的上表面。

3.如权利要求1所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法，其特征在于，在粗化层表面中心区域制作焊盘电极。

4.如权利要求1所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法，其特征在于，沟槽设置为“一”字型，设置为四个，在四个沟槽内蒸镀金属材料形成扩展电极，焊盘电极设置在粗化层表面中心区域，与四个沟槽形成扩展电极分别连接导通。

5.如权利要求1所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法，其特征在于，沟槽设置为“十”字型，设置为四个，在四个沟槽内蒸镀金属材料形成扩展电极，焊盘电极设置在粗化层表面中心区域，与四个沟槽形成扩展电极分别连接导通。

6.如权利要求1所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法，其特征在于，沟槽设置为“Г”字型，设置为四个，在四个沟槽内蒸镀金属材料形成扩展电极，焊盘电极设置在粗化层表面中心区域，与四个沟槽形成扩展电极分别连接导通。

7.如权利要求1所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法，其特征在于，粗化层材料包括Al_xGa_1-xAs、(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P，1≥x≥0，1≥y≥0；粗化层的厚度为1.5-2μm。

8.如权利要求1所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法，其特征在于，欧姆接触层材料包括Al_xGa_1-xAs、(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P，0.1≥x≥0，0.05≥y≥0；欧姆接触层的厚度为50-200nm。

9.如权利要求1所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法，其特征在于，腐蚀截止层的材料包括AlGaInP、GaAs或AlGaAs；腐蚀截止层的厚度为50-100nm。

10.如权利要求1所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法，其特征在于，粗化层的材料为砷化物材料，则腐蚀截止层、欧姆接触层的材料为磷化物材料；粗化层的材料为磷化物材料，则腐蚀截止层、欧姆接触层的材料为砷化物材料。