[发明专利]接合银浆的方法在审
申请号: | 201410432816.1 | 申请日: | 2014-08-28 |
公开(公告)号: | CN104752240A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 洪坰国;姜修槟 | 申请(专利权)人: | 现代自动车株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 方法 | ||
1.一种接合银浆的方法,其包括:
制备包括多个银粉末和能够环绕各个银粉末的固相烧结介质材料的银浆;
在大于大气氧分压的氧分压下加热所述银浆;以及
接合所述银粉末。
2.根据权利要求1所述的方法,其中加热所述银浆的步骤在约250℃至约900℃的温度范围内执行。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述氧分压大于约0.21,且等于或小于约1。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述烧结介质材料是玻璃粉。
5.根据权利要求1所述的方法,其中加热所述银浆的步骤包括:
将所述固相烧结介质材料转化为液相烧结介质材料。
6.根据权利要求5所述的方法,其中接合所述银粉末的步骤包括:
使环绕各个银粉末表面的所述液相烧结介质材料与邻近的液相烧结介质材料接触;以及
通过所述液相烧结介质材料扩散所述银粉末的银原子和银离子,以形成接合所述银粉末的接合部。
7.根据权利要求6所述的方法,其中在接合所述银粉末的步骤中,去除所述液相烧结介质材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造