[发明专利]基于SOA的交叉偏振调制效应的宽带移相器有效

专利信息
申请号: 201410432227.3 申请日: 2014-08-28
公开(公告)号: CN104166290B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 李伟;孙文惠;王文亭;刘建国;祝宁华 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G02F1/35 分类号: G02F1/35
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 宋焰琴
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 soa 交叉 偏振 调制 效应 宽带 移相器
【权利要求书】:

1.一种交叉偏振调制效应的宽带移相器,包括激光源(a)、微波源(b)、偏振调制器(c)、光放大器(d)、可调谐光衰减器(e)、第一偏振控制器(f)、半导体光放大器(g)、光带通滤波器(h)、第二偏振控制器(i)、光起偏器(j)和光电探测器(k),其中,

所述激光源(a)用于产生并输出光信号;

所述微波源(b)用于产生并输出微波信号;

所述偏振调制器(c)用于接收所述激光源(a)输出的光信号和微波源(b)输出的微波信号,并对所述光信号进行两个垂直偏振态的相位调制;

所述光放大器(d)用于放大由所述偏振调制器(c)调制后的光信号;

所述可调谐光衰减器(e)用于调谐所述由光放大器(d)放大的光信号的功率,使该功率在一定范围内变化,所述一定范围是指满足在半导体放大器中产生交叉偏振调制效应的功率值;

所述第一偏振控制器(f)用于控制所述由可调谐光衰减器(e)输出的光信号的偏振态;

所述半导体光放大器(g)用于对所述第一偏振控制器(f)输出的光信号进行交叉偏振调制;

所述光带通滤波器(h)用于对半导体光放大器(g)输出的光信号进行滤波,输出光载波和正一阶边带;

所述第二偏振控制器(i)用于控制所述光载波与所述正一阶边带的偏振态,使所述光载波与所述正一阶边带的偏振态分别与所述光起偏器是成一夹角;

所述光起偏器(j)用于将所述光载波与所述正一阶边带投影到一个偏振方向上;

所述光电探测器(k)用于将所述光载波与所述正一阶边带的拍频信号转换为包含两者之间相位关系的电信号。

2.如权利要求1所述的交叉偏振调制效应的宽带移相器,其特征在于,所述偏振调制器(c)对输入光信号存在调制系数相反的两个方向上的调制,调制后的光载波和一阶边带分布在垂直的两个偏振态上。

3.如权利要求1所述的交叉偏振调制效应的宽带移相器,其特征在于,所述光放大器(d)放大光信号以满足输入到所述半导体光放大器(g)中的光信号功率在该半导体光放大器(g)的增益饱和区。

4.如权利要求2或3所述的交叉偏振调制效应的宽带移相器,其特征在于,所述光放大器(d)是掺铒光纤。

5.如权利要求1所述的交叉偏振调制效应的宽带移相器,其特征在于,所述第一偏振控制器(f)用于控制所述光载波的偏振态与所述半导体光放大器(g)的偏振态的关系。

6.如权利要求1所述的交叉偏振调制效应的宽带移相器,其特征在于,经过所述半导体光放大器(g)的交叉偏振调制,所述光信号输入的光载波与一阶边带分别对准所述半导体光放大器(g)的慢轴和快轴。

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