[发明专利]半导体封装件及方法有效
申请号: | 201410431660.5 | 申请日: | 2014-08-28 |
公开(公告)号: | CN104900597B | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 苏安治;陈宪伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/02 | 分类号: | H01L23/02;H01L21/50 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装件 半导体封装件 结构元件 接合 方法使用 放置结构 结构支撑 导电球 | ||
使用位于第一封装件和第二封装件之间的结构元件将第一封装件接合至第二封装件以提供结构支撑。在实施例中,结构元件是板或者一个或多个导电球。在放置结构元件之后,将第一封装件接合至第二封装件。本发明还涉及半导体封装件及方法。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年3月7日提交的标题为“Semiconductor Package andMethods of Forming Same”的美国临时专利申请第61/949,755号的优先权,其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及半导体封装件及方法。
背景技术
自从集成电路(IC)的发明以来,由于对各个电部件(即,晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改进,半导体工业经历了快速地增长。在很大的程度上,集成密度的改进来自于重复减小最小部件的尺寸,这实现了在给定区域内集成更多的部件。
由于通过集成部件占据的体积基本上在半导体晶圆的表面上,因此这种集成的改进本质上是在二维(2D)中进行的。尽管光刻中重要的改进在2D IC形成中产生了重大的改进,但是可以在二维中实现的密度仍然具有物理限制。这些限制中的一种是为制造这些部件所需的最小尺寸。同时,当在一个芯片中放入更多的器件时,需要利用更复杂的设计。
为了进一步增大电路密度,已经研究了三维(3D)IC。在3D IC的通用形成工艺中,两个管芯接合在一起并且在每个管芯和衬底上的接触焊盘之间形成电连接件。例如,一种尝试包括将两个管芯在彼此的顶部接合。然后,堆叠的管芯接合至载体衬底并且接合线将每个管芯上的接触焊盘电连接至载体衬底上的接触焊盘。
发明内容
为了解决现有技术中的问题,本发明提供了一种半导体器件,包括:第一封装件,具有第一侧;第二封装件,具有面向所述第一侧的第二侧;第一外部连接件,电连接至所述第一封装件的所述第一侧和所述第二封装件的所述第二侧;以及结构元件,位于所述第一封装件和所述第二封装件之间,其中,所述结构元件的尺寸不同于所述第一外部连接件的尺寸。
在上述半导体器件中,其中,所述结构元件是框。
在上述半导体器件中,其中,所述结构元件是框;其中,所述框是铜框。
在上述半导体器件中,其中,所述结构元件是第一固体球。
在上述半导体器件中,其中,所述结构元件是第一固体球;其中,所述第一固体球是焊料球。
在上述半导体器件中,其中,所述结构元件是第一固体球;其中,所述第一外部连接件包括第二固体球,所述第二固体球的尺寸大于所述第一固体球的尺寸。
在上述半导体器件中,其中,所述第二封装件是集成的扇出式封装件。
在上述半导体器件中,其中,所述结构元件不与所述第一封装件的接触焊盘接触。
根据本发明的另一个方面,提供了一种半导体器件,包括:第一封装件,具有第一侧,所述第一封装件包括第一半导体器件;第一外部连接件,连接至所述第一侧;支撑元件,邻近所述第一侧,所述第一外部连接件围绕所述支撑元件,其中,所述支撑元件与所述第一半导体器件电隔离;以及第二封装件,具有面向所述第一侧的第二侧,所述第二侧连接至所述第一外部连接件。
在上述半导体器件中,其中,所述支撑元件是框。
在上述半导体器件中,其中,所述支撑元件是框;其中,所述框是金属框。
在上述半导体器件中,其中,所述支撑元件是一个或多个固体球。
在上述半导体器件中,其中,所述支撑元件是一个或多个固体球;其中,所述一个或多个固体球是焊料球。
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