[发明专利]包括空穴注入层的半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

第一半导体层，所述第一半导体层掺杂有第一导电类型的掺杂物并在其中包括位错；

所述第一半导体层上的凹坑扩大层；

所述凹坑扩大层上的有源层，所述凹坑扩大层的上表面和所述有源层的侧表面在所述位错上限定了具有斜表面的凹坑，所述凹坑为倒棱锥形空间；

空穴注入层，其位于所述有源层的顶表面和所述凹坑的所述斜表面上；以及

所述空穴注入层上的第二半导体层，所述第二半导体层掺杂有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的掺杂物。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述有源层具有多量子阱结构，该结构包括以交替方式堆叠在彼此上的多个势垒层和多个量子阱层。

3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述空穴注入层沿着所述凹坑的斜表面与所述有源层的全部所述多个量子阱层接触。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述空穴注入层的一部分与所述凹坑扩大层接触。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中

所述空穴注入层位于所述有源层的顶表面和所述凹坑的斜表面上，并且

所述空穴注入层的厚度实质上恒定。

6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中，所述空穴注入层的厚度为3nm至5nm。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中

所述第一半导体层和所述第二半导体层包括GaN，并且

所述空穴注入层包括掺杂有所述第二导电类型的掺杂物的InGaN。

8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中

所述空穴注入层在所述有源层的顶表面上的部分的掺杂浓度为10²⁰/cm³，并且

所述空穴注入层在所述凹坑的斜表面上的部分的掺杂浓度为7～8×10¹⁹/cm³。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中

所述第二半导体层包括平坦的顶表面，并且

所述第二半导体层的下部部分地突出到所述凹坑中。

10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括：

电子阻挡层，其位于所述有源层与所述空穴注入层之间。

11.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中

所述电子阻挡层和所述空穴注入层位于所述有源层的顶表面和所述凹坑的斜表面上，并且

所述电子阻挡层和所述空穴注入层分别具有实质上恒定的厚度。

12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中

所述电子阻挡层包括掺杂有第二导电类型的掺杂物的AlGaN，并且

所述空穴注入层包括掺杂有第二导电类型的掺杂物的InGaN。

13.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括：

电子阻挡层，其中

所述空穴注入层包括第一空穴注入层和第二空穴注入层，并且

所述电子阻挡层位于所述第一空穴注入层与所述第二空穴注入层之间。

14.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中

所述电子阻挡层、所述第一空穴注入层和所述第二空穴注入层位于所述有源层的顶表面和所述凹坑的斜表面上，并且

所述电子阻挡层、所述第一空穴注入层和所述第二空穴注入层分别具有实质上恒定的厚度。

15.一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：

生长第一半导体层，所述第一半导体层掺杂有第一导电类型的掺杂物，并且所述第一半导体层包括位错；

在所述第一半导体层上生长凹坑扩大层；

在所述凹坑扩大层上生长有源层，所述凹坑扩大层的上表面和所述有源层的侧表面在所述位错上限定了具有斜表面的凹坑；

在所述有源层的顶表面和所述凹坑的所述斜表面上生长空穴注入层；以及

在所述空穴注入层上生长第二半导体层，所述第二半导体层掺杂有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的掺杂物。