[发明专利]纳米单离子导体的制备方法

权利要求书

1.一种纳米单离子导体的制备方法，其包括以下步骤：

S1，通过水解反应制备纳米溶胶的溶液，该纳米溶胶选自钛溶胶、铝溶胶、硅溶胶及锆溶胶中的至少一种，包括以下步骤：

S11，将可发生水解反应的钛、铝、硅及锆的化合物中的至少一种溶于有机溶剂，形成第一溶液；

S12，将水与有机溶剂混合，形成第二溶液；以及

S13，将第一溶液与第二溶液混合并加热，形成所述纳米溶胶的溶液，并且该步骤S12或S13进一步包括通过加酸或加碱调节pH值在3～4或9～10；

S2，在所述纳米溶胶的溶液中加入含有C=C基团的硅烷偶联剂，在保护性气体中加热，反应得到C=C基团接枝的纳米溶胶的溶液；

S3，在所述C=C基团接枝的纳米溶胶的溶液中加入甲基丙烯酸甲酯单体、丙烯酸单体以及引发剂并加热，反应得到纳米溶胶-P(AA-MMA)复合体；

S4，将该纳米溶胶-P(AA-MMA)复合体在高压反应釜的液相介质中加热并加压进行反应，加热温度为145°C~200°C，压力为1MPa~2MPa，得到完全脱羟基结晶型氧化物纳米颗粒-P(AA-MMA)复合体，该氧化物纳米颗粒为钛、铝、硅及锆的氧化物中的至少一种；以及

S5，将该氧化物纳米颗粒-P(AA-MMA)及氢氧化锂加入有机溶剂中混合并加热，得到该纳米单离子导体的透明澄清分散液。

2.如权利要求1所述的纳米单离子导体的制备方法，其特征在于，该可发生水解反应的钛、铝、硅及锆的化合物为正硅酸乙酯、正硅酸甲酯、三乙氧基硅烷、三甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、异丙醇铝、仲丁醇铝、硫酸钛，四氯化钛、钛酸四丁酯、钛酸四乙酯、钛酸四异丙酯、叔丁醇钛、钛酸二乙酯、锆酸四丁酯、四氯化锆、叔丁醇锆及正丙醇锆中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的纳米单离子导体的制备方法，其特征在于，该含有C=C基团的硅烷偶联剂为二乙基甲基乙烯基硅烷、三[(1,1-二甲基乙基)二氧]乙烯基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、三叔丁氧基乙烯基硅烷、乙烯三[(1-甲基乙烯基)氧]硅烷、甲基乙烯基二乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三异丙氧基硅烷、7-辛烯基三甲氧基硅烷、甲基乙烯基二甲氧基硅烷及乙烯基三异丙氧基硅烷中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的纳米单离子导体的制备方法，其特征在于，在该第一混合物中，该纳米溶胶与该含有C=C基团的硅烷偶联剂的摩尔比为1:100～1:20。

5.如权利要求1所述的纳米单离子导体的制备方法，其特征在于，该纳米单离子导体在该分散液呈单分散状态。

6.如权利要求1所述的纳米单离子导体的制备方法，其特征在于，该纳米单离子导体的尺寸小于10纳米。

7.如权利要求1所述的纳米单离子导体的制备方法，其特征在于，该步骤S2，S3及S5的加热温度为60°C~90°C。

8.如权利要求1所述的纳米单离子导体的制备方法，其特征在于，该步骤S5的有机溶剂为乙酰胺、NMP及丙酮中的一种或多种。