[发明专利]具有双堤部结构的高开口率有机发光二极管显示器

说明书

本申请要求2013年8月30日提交的韩国申请No.10-2013-104385的优先权，为了所有目的在此援引该专利申请作为参考，如同在这里完全阐述一样。

技术领域

本发明涉及一种具有高开口率的有机发光二极管显示器。本发明尤其涉及一种具有双堤部结构的高开口率有机发光二极管显示器，从而防止当使用油墨填充方法沉积有机发光材料时形成未填充区域。

背景技术

现在，为了克服阴极射线管的一些缺点，如重量重和体积庞大，提出了各种平板显示装置。平板显示装置包括液晶显示装置(或LCD)、场发射显示器(或FED)、等离子显示面板(或PDP)和电致发光装置(或EL)。

根据发光材料，电致发光显示装置分为无机发光二极管显示装置和有机发光二极管显示装置。作为自发光显示装置，电致发光显示装置具有响应速度非常快、亮度非常高且视角大的优点。

图1是图解有机发光二极管的结构的示图。如图1中所示，有机发光二极管包括有机发光材料层、以及彼此面对且之间设置有机发光材料层的阴极和阳极。有机发光材料层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。由于以其中空穴和电子在发光层EML处重新组合的激发态形成的激子的能量，有机发光二极管发射光。

由于以其中来自阳极的空穴和来自阴极的电子在发光层EML处重新组合的激发态形成的激子的能量，有机发光二极管发射光。有机发光二极管显示器通过控制如图1中所示的有机发光二极管的发光层EML产生并发射的光量(或“亮度”)，呈现视频数据。

使用有机发光二极管的有机发光二极管显示器(或OLED)分为无源矩阵型有机发光二极管显示器(或PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)。

有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)通过使用薄膜晶体管(或TFT)控制施加给有机发光二极管的电流显示视频数据。

图2是图解有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)中一个像素的结构的典型电路图。图3是图解AMOLED中一个像素的结构的平面图。图4是沿切线I-I’的图解AMOLED的结构的剖面图。

参照图2和3，有源矩阵型有机发光二极管显示器包括开关薄膜晶体管ST、与开关薄膜晶体管ST连接的驱动薄膜晶体管DT、以及与驱动薄膜晶体管DT连接的有机发光二极管OLED。

开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL和数据线DL彼此交叉的地方。开关薄膜晶体管ST用于选择与开关薄膜晶体管ST连接的像素。开关薄膜晶体管ST包括从栅极线GL分支的栅极SG、与栅极SG重叠的半导体沟道层SA、源极SS和漏极SD。

驱动薄膜晶体管DT用于驱动设置在由开关薄膜晶体管ST选择的像素处的有机发光二极管OLED的阳极ANO。驱动薄膜晶体管DT包括与开关薄膜晶体管ST的漏极SD连接的栅极DG、半导体沟道层DA、与驱动电流线VDD连接的源极DS、和漏极D。驱动薄膜晶体管DT的漏极DD与有机发光二极管OLED的阳极ANO连接。

更详细地说，参照图4，开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的栅极SG和DG分别形成在有源矩阵型有机发光二极管显示器的基板SUB上。在栅极SG和DG上沉积栅极绝缘层GI。在与栅极SG和DG重叠的栅极绝缘层GI上分别形成半导体层SA和DA。在半导体层SA和DA上，形成彼此相对并间隔开的源极SS和DS及漏极SD和DD。

开关薄膜晶体管ST的漏极SD通过穿透栅极绝缘层GI的接触孔与驱动薄膜晶体管DT的栅极DG连接。在具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板SUB上沉积钝化层PAS。在钝化层PAS上形成有机发光二极管OLED的阳极ANO。在此，阳极ANO通过形成在钝化层PAS处的像素接触孔PH与驱动薄膜晶体管DT的漏极DD连接。

在具有阳极ANO的基板SUB上，在具有开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT以及各个线DL，SL和VDD的区域上形成堤部(或“堤部图案”)BN，用于界定发光区域。

具有薄膜晶体管ST和DT以及各个线DL，SL和VDD的基板SUB的顶表面不是平坦或平滑的，而是具有一些台阶外形。当在具有不平坦或不平滑表面条件的表面上沉积有机材料，如有机发光层时，有机材料的特性劣化。堤部BN用于防止有机材料在台阶部处劣化。为了划分具有平坦表面的发光区域与具有开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT以及各个线DL，SL和VDD的非发光区域，在非发光区域上形成堤部BN。因此，通过堤部BN界定发光区域。