[发明专利]一种双接触孔刻蚀停止层的制作方法

权利要求书

1.一种双接触孔刻蚀停止层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：提供一MOS器件，在所述MOS器件上沉积一层高张应力氮化硅层作为接触孔刻蚀停止层；

步骤二：在所述高张应力氮化硅层上沉积一层非晶碳层作为所述高张应力氮化硅层的保护层；

步骤三：在所述非晶碳层上依次交替沉积氮化硅层、氧化硅层，形成由所述氮化硅层和所述氧化硅层组成的多层叠层，作为紫外光阻挡层；

步骤四：将所述MOS器件NMOS区域的所述叠层去除；

步骤五：对所述高张应力氮化硅层进行紫外光固化处理，利用紫外光破坏所述高张应力氮化硅层中的氢键，使氢原子形成氢气析出，并形成Si-N键；其中，PMOS区域的多层叠层通过具有不同折射率的介质界面，对紫外光进行反射，使紫外光在到达下面的高张应力氮化硅层的过程中光强逐步衰减，而所述NMOS区域的高张应力氮化硅层，因多层叠层已被去除，其紫外光固化过程不会受到影响；

步骤六：将所述MOS器件PMOS区域的所述叠层去除，然后，去除所述非晶碳层，以在所述MOS器件上形成具有不同高张应力的氮化硅双接触孔刻蚀停止层。

2.根据权利要求1所述的双接触孔刻蚀停止层的制作方法，其特征在于，步骤一中，所述高张应力氮化硅层的沉积厚度为300～1000埃。

3.根据权利要求1所述的双接触孔刻蚀停止层的制作方法，其特征在于，步骤二中，所述非晶碳层的沉积厚度为1000～5000埃。

4.根据权利要求1所述的双接触孔刻蚀停止层的制作方法，其特征在于，步骤三中，所述叠层中的所述氮化硅层的层数为3层及以上，所述氧化硅层的层数为2层及以上。

5.根据权利要求1或4所述的双接触孔刻蚀停止层的制作方法，其特征在于，步骤三中，所述叠层中的最上层为所述氮化硅层。

6.根据权利要求1或4所述的双接触孔刻蚀停止层的制作方法，其特征在于，步骤三中，每层所述氮化硅层的厚度为100～300埃。

7.根据权利要求1或4所述的双接触孔刻蚀停止层的制作方法，其特征在于，步骤三中，每层所述氧化硅层的厚度为100～300埃。

8.根据权利要求1所述的双接触孔刻蚀停止层的制作方法，其特征在于，步骤四中，采用光刻工艺，用光刻胶覆盖所述MOS器件的PMOS区域，然后，采用干法刻蚀工艺去除所述MOS器件NMOS区域的所述叠层。

9.根据权利要求1所述的双接触孔刻蚀停止层的制作方法，其特征在于，步骤五中，采用波长为190～400nm的紫外光对所述高张应力氮化硅层进行紫外光固化处理。

10.根据权利要求8所述的双接触孔刻蚀停止层的制作方法，其特征在于，步骤六中，先采用等离子氧化工艺去除所述MOS器件PMOS区域的所述光刻胶，然后采用干法刻蚀工艺去除所述MOS器件PMOS区域的所述叠层，最后采用等离子氧化工艺去除所述非晶碳层。