[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及制法和薄膜型热敏电阻传感器

权利要求书

1.一种热敏电阻，其特征在于，

由以通式：(M1-vAv)xAly(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，M表示选自Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，并且A表示选自Mn、Cu、Ni、Fe及Co中的至少一种且与所选的所述M不同的元素，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，

所述金属氮化物的结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。

2.根据权利要求1所述的热敏电阻，其特征在于，

所述金属氮化物形成为膜状，

并且为沿垂直于所述膜的表面的方向延伸的柱状结晶。

3.根据权利要求1或2所述的热敏电阻，其特征在于，

所述金属氮化物形成为膜状，

在垂直于所述膜的表面的方向上，c轴的取向强于a轴的取向。

4.一种薄膜型热敏电阻传感器，其特征在于，具备：

绝缘性薄膜；

薄膜热敏电阻部，在该绝缘性薄膜上由权利要求1至3中任一项所述的金属氮化物形成；及

一对图案电极，至少形成在所述薄膜热敏电阻部的上侧或下侧。

5.一种热敏电阻的制造方法，其特征在于，其是制造权利要求1至3中任一项所述的热敏电阻的方法，

具有使用M-A-Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜的成膜工序，其中，M表示选自Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，并且A表示选自Mn、Cu、Ni、Fe及Co中的至少一种且与所选的所述M不同的元素。