[发明专利]微间距图案的布线结构

说明书

技术领域

本发明是关于一种布线结构，特别是关于一种微间距图案的布线结构。

背景技术

由于半导体工艺的演进，在半导体基板上的装置(device)及线路(trace)分布越趋紧密，特别是在微间距(fine-pitch)图案化工艺中，半导体基板上的线路宽度仅有10μm左右，而线路与线路之间的空间也仅约10μm，因此，一般微间距(fine-pitch)图案化工艺选自于湿式蚀刻或干式蚀刻进行线路层的蚀刻及图案化，其中干式蚀刻是利用气体离子(电浆)将不需要的金属层移除，但由于干式蚀刻的制作成本过高，一般工业上仍以湿式蚀刻进行线路层的图案化较为常见。

湿式蚀刻乃利用蚀刻液与金属层进行置换反应，进而移除不需要的金属层，湿式蚀刻的工艺可简述如下，首先将半导体基板上镀上金属层，接着在该金属层上覆盖光阻层，接着借由光罩将该光阻层曝光及显影，以图案化该光阻层，接着在显露的该金属层上镀上线路层，再以蚀刻工艺将光阻层及线路间的金属层移除，而形成该半导体基板的线路。但由于在微间距图案化的工艺中，线路的宽度较小外，线路及线路之间的空间亦相当狭小，因此常造成蚀刻液在线路及线路间的三面封闭的空间中置换性较差，导致该空间中会残留有金属层而无法将其彻底移除。

有鉴于上述现有的微间距图案化工艺存在的问题，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的微间距图案的布线结构，能够改进一般现有的微间距图案化工艺，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于借由第一导线部的第一线段至第二导线部的第三线段之间的第一间距大于第一导线部的第二线段至第二导线部的第四线段之间的第二间距，使得连接部、第三线段及第一线段之间形成的三面封闭的蚀刻空间可进行彻底的蚀刻，而避免金属层的残留。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本发明的一种微间距图案的布线结构包含连接部、第一导线部及第二导线部，该第二导线部经由该连接部电性连接该第一导线部，且该连接部、该第一导线部及该第二导线部为同一层的金属层，该第一导线部具有第一线段及第二线段，该第一线段连接该连接部，该第二线段连接该第一线段，且该第二线段经由该第一线段电性连接该连接部，该第二导线部具有第三线段及第四线段，该第三线段连接该连接部，且该连接部、该第三线段及该第一线段形成一三面封闭的蚀刻空间，该第四线段连接该第三线段，该第四线段经由该第三线段电性连接该连接部，该第三线段至该第一线段之间具有第一间距，该第四线段至该第二线段之间具有第二间距，该一间距大于该第二间距。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的微间距图案的布线结构，其中该第二导线部的该第三线段具有直线部及弯折部，该直线部连接该连接部，该弯折部连接该直线部及该第四线段，该直线部具有第一侧面，该弯折部具有第二侧面，该第一侧面及该第二侧面朝向该蚀刻空间，该第一侧面至该第二侧面之间具有第一夹角，该第一夹角小于180度。

前述的微间距图案的布线结构，其中该第一夹角介于90至180度之间。

前述的微间距图案的布线结构，其中该弯折部具有第一端及第二端，该第一端连接该直线部，该第二端连接第四线段，且该弯折部的该第二侧面及该第一线段之间具有第三间距，该第三间距由该第一端朝向该第二端渐缩。

前述的微间距图案的布线结构，其中该第二导线部具有宽度，该宽度与该第一间距的比例介于1:2至1:3之间。

前述的微间距图案的布线结构，其中该第二导线部具有高度，该宽度与该高度的比例介于1:0.8至1:1.2之间。

前述的微间距图案的布线结构，其另包含有第三导线部，该第二导线部位于该第一导线部及该第三导线部之间，该第三导线部至该第二导线部之间具有第四间距，该第四间距不小于该第二间距。

前述的微间距图案的布线结构，其另包含有第三导线部，该第二导线部位于该第一导线部及该第三导线部之间，该第三导线部具有让位线段，其中该弯折部具有第三侧面，该第三侧面朝向该第三导线部，该让位线段具有第四侧面，该第四侧面至该第三侧面之间具有第二夹角，该第二夹角小于1度。