[发明专利]一种侧壁绝缘保护的芯片封装方法及其封装结构在审

申请号：	201410426690.7	申请日：	2014-08-26
公开（公告）号：	CN104201114A	公开（公告）日：	2014-12-10
发明（设计）人：	高军明;赖志明;龙欣江;孙超;曾志华	申请（专利权）人：	江阴长电先进封装有限公司
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/31
代理公司：	南京经纬专利商标代理有限公司 32200	代理人：	彭英
地址：	214429 江苏省无锡市江***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种侧壁绝缘保护芯片封装方法及其结构
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【权利要求书】：

1.一种侧壁绝缘保护的芯片封装方法，其工艺过程如下：

步骤一、提供带有芯片电极（102）和划片道（12）的圆片（100）；

步骤二、将激光刀（600）与圆片（100）置于封闭空间内，启动激光刀（600），使其沿圆片（100）的划片道（12）行进，进行切割圆片（100），形成沟槽（103），同时提供O₂或N₂，于沟槽（103）壁形成硅的氧化物或硅的氮化物的绝缘层Ⅰ（202）；

步骤三、在圆片（100）表面采用PECVD的方法沉积 SiO₂/SiN，形成绝缘层Ⅱ（210），并在芯片电极（102）的上方通过腐蚀或刻蚀的方法形成绝缘层Ⅱ开口（211），绝缘层Ⅱ开口（211）露出芯片电极（102）的表面；

步骤四、通过化学镀或电镀工艺，在芯片电极（102）的表面之上形成金属凸块（300）；

步骤五、在圆片（100）上覆膜（500），并上下翻转180°；

步骤六、通过磨片工艺，对圆片（100）的背面进行减薄；

步骤七、通过贴膜工艺，在圆片（100）背部粘贴背面保护层（400）；

步骤八、通过裂片和去膜（500），使圆片（100）单颗化，形成单颗的侧壁绝缘保护的芯片封装结构。

2.根据权利要求1或2所述的芯片封装方法，其特征在于：所述沟槽（103）深度h为≥30μm。

3.根据权利要求2所述的芯片封装方法，其特征在于：所述沟槽（103）的深度h为100～250μm。

4.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于：所述侧壁绝缘保护的芯片封装结构，其包括硅基本体（101）、芯片电极（102）、绝缘层Ⅰ（202）、绝缘层Ⅱ（210）、金属凸块（300）和背面保护层（400），其中，芯片电极（102）嵌入硅基本体（101）的上表面，金属凸块（300）位于硅基本体（101）的上表面并与芯片电极（102）连接，所述绝缘层Ⅰ（202）设置于硅基本体（101）的侧壁，所述绝缘层Ⅱ（210）设置于硅基本体（101）上的金属凸块（300）以外的部分，背面保护层（400）设置于硅基本体（101）的下表面。

5.根据权利要求1或4所述的芯片封装方法，其特征在于：所述绝缘层Ⅰ（202）的厚度为0.5～5μm。

6.一种侧壁绝缘保护的芯片封装方法，其工艺过程如下：

步骤一、提供带有芯片电极（102）和划片道（12）的圆片（100）；

步骤二、在圆片（100）表面采用PECVD的方法沉积 SiO₂/SiN或涂覆聚酰亚胺，形成绝缘层Ⅱ（210），并在芯片电极（102）的上方通过腐蚀或刻蚀的方法形成绝缘层Ⅱ开口（211），绝缘层Ⅱ开口（211）露出芯片电极（102）的表面；

步骤三、通过化学镀或电镀工艺，在芯片电极（102）的表面之上形成金属凸块（300）；

步骤四、在圆片（100）上覆膜（500），并上下翻转180°；

步骤五、通过磨片工艺，对圆片（100）的背面进行减薄；

步骤六、通过贴膜工艺，在圆片（100）背部粘贴背面保护层（400），

步骤七、将激光刀（600）与待切割的圆片（100）置于封闭空间内，启动激光刀（600），使其沿圆片（100）的划片道（12）行进，进行切割圆片（100），同时提供O₂或N₂，于沟槽（103）壁形成硅的氧化物或硅的氮化物的绝缘层Ⅰ（202）；

步骤八、通过裂片和去膜（500），使圆片（100）单颗化，形成单颗的侧壁绝缘保护的芯片封装结构。

7.根据权利要求6所述的芯片封装方法，其特征在于：所述圆片（100）剩余厚度h2为≥30μm。

8.根据权利要求7所述的芯片封装方法，其特征在于：所述圆片（100）剩余深度h2为100～250μm。