[发明专利]一种半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括顺次设置于半导体衬底(11)上的下波导层(12)、有源层(13)、上波导层(14)、隔离层(15)、盖帽层(16)、欧姆接触层(17)，盖帽层(16)和欧姆接触层(17)组成脊型波导，所述脊型波导表面设置有金属电极(18)，其特征为：所述脊型波导相对半导体发光器件发光端面倾斜或者弯曲的波导区域两侧设置有金属层或者多层介质膜层，所述金属层或者多层介质膜层设置于隔离层(15)表面。

2.根据权利要求1所述的一种半导体发光器件，其特征为：所述金属层与金属电极之间设置有空隙。

3.根据权利要求1所述的一种半导体发光器件，其特征为：所述脊型波导包括发光端面相垂直的直波导和倾斜的弯曲波导，所述金属层或多层介质膜层设置于弯曲波导两侧。

4.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光器件，其特征为：所述脊型波导包括两端均为倾斜的弯曲波导，所述金属层设置于倾斜弯曲波导一端或者两端的两侧。

5.根据权利要求1所述的一种半导体发光器件，其特征为：所述脊型波导包括两端均为倾斜的弯曲波导，所述多层介质膜层设置于倾斜弯曲波导一端或者两端的两侧。

6.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光器件，其特征为：所述脊型波导为与发光端面成夹角设置的倾斜直波导,所述金属层设置于倾斜直波导一端或者两端的两侧。

7.根据权利要求1所述的一种半导体发光器件，其特征为：所述脊型波导为与发光端面成夹角设置的倾斜直波导,所述多层介质膜层设置于倾斜直波导一端或者两端的两侧。

8.根据权利要求2所述的一种半导体发光器件，其特征为：所述金属层与金属电极的空隙间隔为至少2um。

9.根据权利要求1或2或8所述的一种半导体发光器件，其特征为：所述金属层为连接成一体的金属层，或者是相互分离设置的金属层。

10.根据权利要求1或5或7所述的一种半导体发光器件，其特征为：所述多层介质膜层采用对半导体发光器件发射光进行光增透的膜层。