[发明专利]MEMS器件有效
申请号: | 201410425970.6 | 申请日: | 2014-08-26 |
公开(公告)号: | CN104418292B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | E·富尔古特;H·托伊斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 器件 | ||
1.一种MEMS器件,包括:
第一芯片,具有安装表面并且包括至少一个集成电路;以及
MEMS芯片,具有主表面,其中用于接触所述MEMS器件的第一组接触焊盘和用于接触所述第一芯片的第二组接触焊盘被布置在所述主表面上;
其中所述第一芯片经由面向所述主表面的所述安装表面被机械地附接且电连接到所述第二组接触焊盘;以及
其中所述第一芯片的所述安装表面比所述MEMS芯片的所述主表面小至少25%。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件,其中所述第一芯片的所述安装表面比所述MEMS芯片的所述主表面小超过50%。
3.根据权利要求1所述的MEMS器件,其中所述第一芯片的厚度比所述MEMS芯片的厚度小至少50%。
4.根据权利要求1所述的MEMS器件,其中所述MEMS芯片包括布置在所述主表面处的膜。
5.根据权利要求4所述的MEMS器件,其中所述膜与所述第二组的区域相邻。
6.根据权利要求4所述的MEMS器件,其中所述MEMS芯片包括布置在与所述主表面相对的背侧表面处的背体积盖。
7.根据权利要求6所述的MEMS器件,其中背体积通过从所述背侧表面延伸的沟槽被形成在所述膜与所述背体积之间。
8.根据权利要求1所述的MEMS器件,其中所述第一芯片包括ASIC。
9.根据权利要求1所述的MEMS器件,其中所述第一芯片和所述MEMS芯片通过晶片键合被连接到彼此。
10.根据权利要求1所述的MEMS器件,其中底部填料被布置在所述第一芯片与所述MEMS芯片之间。
11.根据权利要求1所述的MEMS器件,其中所述第一芯片包括用于所述第一芯片的开孔,其中所述开孔的侧向延伸大于或等于所述MEMS芯片的所述安装表面。
12.根据权利要求1所述的MEMS器件,包括布置在所述第一组接触焊盘处的多个焊料球。
13.根据权利要求12所述的MEMS器件,其中所述第一芯片的厚度小于所述焊料球的尺寸。
14.一种MEMS器件,包括:
ASIC,具有安装表面;以及
MEMS芯片,具有主表面并且包括布置在所述主表面处的膜,其中用于将所述MEMS器件接触到外部器件的第一组接触焊盘和用于经由所述安装表面将所述MEMS芯片接触到所述ASIC的第二组接触焊盘被布置在所述主表面上,其中所述膜与所述第二组接触焊盘的区域相邻;
其中所述ASIC通过晶片键合面向所述主表面的所述安装表面而被机械地附接且电连接到所述第二组接触焊盘;以及
其中所述ASIC的所述安装表面比所述MEMS芯片的所述主表面小至少50%。
15.一种MEMS器件,包括:
第一芯片,包括至少一个集成电路并且具有顶表面和至少一个侧壁;以及
MEMS芯片,具有主表面和至少一个侧壁;
其中所述第一芯片和所述MEMS芯片经由所述第一芯片的所述侧壁和所述MEMS芯片的所述侧壁被机械地附接到彼此,使得所述顶表面和所述主表面形成共同表面;以及
其中所述第一芯片和所述MEMS芯片经由导线在所述共同表面被电连接。
16.根据权利要求15所述的MEMS器件,其中所述顶表面小于所述主表面。
17.根据权利要求15所述的MEMS器件,其中所述第一芯片的所述集成电路被形成在所述顶表面处。
18.一种用于制造MEMS器件的方法,所述MEMS器件包括第一芯片和MEMS芯片,所述第一芯片具有安装表面并且包括至少一个集成电路,所述MEMS芯片具有主表面,在所述主表面上布置有用于接触所述MEMS器件的第一组接触焊盘和用于接触所述第一芯片的第二组接触焊盘,所述方法包括:
将所述第一芯片机械地附接且电连接到所述第二组接触焊盘;
其中所述第一芯片的所述安装表面比所述MEMS芯片的所述主表面小至少25%。
19.根据权利要求18所述的方法,包括设置所述第一组接触焊盘和/或所述第二组接触焊盘的步骤。
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