[发明专利]存储器的数据校验方法在审
申请号: | 201410425717.0 | 申请日: | 2014-08-26 |
公开(公告)号: | CN104269190A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 顾靖;张永福 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 数据 校验 方法 | ||
1.一种存储器的数据校验方法,其特征在于,包括:
对目标存储区域存储的数据进行首次错误检查和纠正;
若所述首次错误检查和纠正发现可纠正的错误,输出原始数据和已进行纠错的标识信号,并对所述目标存储区域进行擦除操作;
将所述原始数据和所述原始数据对应的校验数据重新写入所述目标存储区域;
对所述目标存储区域存储的数据进行再次错误检查和纠正;
若所述再次错误检查和纠正发现可纠正的错误,输出原始数据和已进行纠错的标识信号。
2.如权利要求1所述的存储器的数据校验方法,其特征在于,还包括:
在所述对目标存储区域存储的数据进行首次错误检查和纠正前,对所述原始数据进行编码以获得所述校验数据,并将所述原始数据和所述校验数据写入所述目标存储区域。
3.如权利要求1所述的存储器的数据校验方法,其特征在于,还包括:
若所述首次错误检查和纠正未发现错误,输出原始数据和未进行纠错的标识信号。
4.如权利要求1所述的存储器的数据校验方法,其特征在于,还包括:
若所述首次错误检查和纠正发现不可纠正的错误,输出警示信号。
5.如权利要求1所述的存储器的数据校验方法,其特征在于,还包括:
若所述再次错误检查和纠正未发现错误,输出原始数据和修复数据的标识信号。
6.如权利要求1所述的存储器的数据校验方法,其特征在于,还包括:
若所述再次错误检查和纠正发现不可纠正的错误,输出警示信号。
7.如权利要求1所述的存储器的数据校验方法,其特征在于,所述校验数据为汉明码、BCH码或者瑞德所罗门码。
8.如权利要求1所述的存储器的数据校验方法,其特征在于,所述存储器为闪存。
9.如权利要求1所述的存储器的数据校验方法,其特征在于,所述存储器为EEPROM。
10.如权利要求9所述的存储器的数据校验方法,其特征在于,所述存储器包括至少一个字节存储区域;
所述字节存储区域包括照行方向排列的M条字线、按照列方向排列的L条位线、按照行方向排列的N条源线以及M行、L列呈矩阵排列的存储单元,所述存储单元包括栅极、漏极以及源极,M、L和N为正整数;其中,
位于同一行的存储单元的栅极连接至同一字线,位于每相邻两行的存储单元的源极连接至同一源线,位于同一列的存储单元的漏极连接至同一位线。
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