[发明专利]存储器和包括存储器的存储系统

说明书

一种存储器，其可以包括：多个字线；目标地址发生单元，适于通过使用储存的地址来产生一个或多个目标地址；刷新控制部，适于响应于周期输入的刷新命令而激活刷新信号，以及在自刷新模式下周期性激活所述刷新信号；目标刷新控制部，适于当所述刷新信号被激活M次时激活目标刷新信号，其中M是自然数，以及在所述自刷新模式下去激活所述目标刷新信号；以及行控制部，适于响应于所述刷新信号而顺序地刷新所述多个字线，以及当所述目标刷新信号被激活时，响应于所述刷新信号而刷新与所述目标地址相对应的字线。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年12月18日提交的申请号为10-2013-0158151的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及存储器和存储系统。

背景技术

存储器的存储器单元包括用作开关的晶体管和储存电荷(数据)的电容器。根据存储器单元的电容器中是否存在电荷，即，电容器的端电压是高还是低来确定“高”(逻辑1)和“低”(逻辑0)数据值。

由于数据的储存表示电容器中电荷的累积，所以理论上在数据储存期间不消耗能量。然而，由于储存在电容器中的初始电荷因PN结处以及MOS晶体管的其他位置的电流泄露而减少，所以数据可能会丢失。为了防止这种丢失，读取存储器单元中的数据，并且基于读取信息来在数据丢失之前对存储器单元进行再充电。仅当这种操作被周期性重复时，数据的储存可以得到维持。这种存储器单元再充电处理被称作为刷新操作。

图1是说明包括在存储器中的单元阵列的一部分的示意图，为了解释字线干扰现象。‘BL’表示位线。

在图1中，单元阵列中的‘WLK-1’、‘WLK’和‘WLK+1’表示彼此平行布置的三个字线。‘HIGH_ACT’标记的字线WLK表示具有大量激活次数或高激活频率的字线，而字线WLK-1和WLK+1是与字线WLK相邻布置的字线。‘CELL_K-1’、‘CELL_K’和‘CELL_K+1’表示分别与字线‘WLK-1’、‘WLK’和‘WLK+1’电耦接的存储器单元。存储器单元‘CELL_K-1’、‘CELL_K’和‘CELL_K+1’分别包括单元晶体管TR_K-1和单元电容器CAP_K-1、单元晶体管TR_K和单元电容器CAP_K以及单元晶体管TR_K+1和单元电容器CAP_K+1。

在图1中，当字线WLK被激活以及被预充电(去激活)时，字线WLK-1和字线WLK+1的电压由于字线WLK与字线WLK-1和字线WLK+1之间出现的耦合现象而升高和下降，导致对储存在单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1中的电荷量的影响。因此，当字线WLK被过度激活、预充电，以及在激活状态和预充电状态之间切换时，储存在存储器单元CELL_K-1和CELL_K+1中的数据可能由于储存在电容器CAP_K-1和CAP_K+1中的电荷量的改变而丢失。

此外，字线在激活状态和预充电状态之间切换时产生的电磁波引起电子向/从相邻字线中的电耦接的存储器单元电容器的迁移，这导致数据丢失。

发明内容

本发明的各种实施例涉及刷新与高激活字线相邻的字线并且实质上防止电耦接的存储器单元的数据丢失的一种存储器和一种存储系统。

另外，本发明的各种实施例涉及在产生高激活字线是低概率的情况下减少执行刷新操作的次数(减少功耗)的一种存储器和一种存储系统。

在一个实施例中，存储器可以包括：多个字线；目标地址发生单元，适于通过使用储存的地址来产生一个或多个目标地址；刷新控制部，适于响应于周期性输入的刷新命令而激活刷新信号，以及在自刷新模式下周期性激活刷新信号；目标刷新控制部，适于当刷新信号被激活M次时，激活目标刷新信号，其中，M是自然数，以及在自刷新模式下去激活目标刷新信号；以及行控制部，适于响应于刷新信号而顺序地刷新多个字线，以及当目标刷新信号被激活时响应于刷新信号而刷新与目标地址对应的字线。