[发明专利]有机半导体材料的升华提纯方法及其升华提纯装置

说明书

技术领域

本发明属于升华提纯炉技术领域，特别涉及升华提纯装置。

背景技术

有机电子器件因其具有主动发光、响应时间短、广视角、全彩化、低耗电等优势，在国内外备受关注。而有机半导体材料的纯度直接影响着有机电子器件的工作特性和稳定性。处于有机发光层的杂质会形成陷阱，阻挡激子的扩散运动，捕获部分激子，引起了激子的淬灭，因而会降低有机电致发光器件的发光效率；处于载流子传输层的杂质能够俘获载流子，降低载流子的传输效率；杂质捕获载流子后形成内部电场阻挡后续电荷的注入，增加了器件的开路电压,降低了电流密度；另外，杂质的不稳定性容易发生分解，影响器件的寿命。因此提高有机半导体材料的纯度至关重要。

目前国内外常用的纯化方法为梯度升华提纯，通过设置不同温区的温度，使玻璃管上形成一定的温度梯度，将需要进行提纯的材料放置在高温加热区，使材料升华。升华后的材料扩散到低温区内沉积，一般情况下，高纯度的材料沉积在靠近升华区域很短的距离内，杂质的沉积区远离升华区域，从而到达了分离杂质的目的。然而，由于梯度升华提纯方法中，所形成的温度梯度是唯一是使材料分离的动力，因此在升华过程中需要小心的控制温度。而且一次加热升华通常无法满足纯度的要求，需要将材料进行二次甚至多次的升华来达到足够的纯度。

在广东阿格蕾雅光电材料有限公司戴雷等人公开的专利CN102924207A中所公开有机小分子升华纯化方法中在升华加热管内设置障碍物，改变升华提纯路径，但是障碍物的存在使气流从开孔处穿出，增加了气流速度，使材料在后续障碍物的沉积减少，大多数的材料在第一档板区域沉积，而后续障碍物处沉积材料很少，因此，障碍物的存在有效回收质量没有提高，甚至减少了回收质量。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，克服现有技术的不足之处，提供一种有机半导体材料升华提纯的方法，采用内部设置滤膜来吸附杂质，从而达到主物质与杂质在升华过程中分离，产品纯度更高, 且气流速度均匀。

本发明要解决的技术问题是通过以下技术方案来实现的，升华提纯装置，包括内管，内管为多个，且依次连接，相邻两个内管之间设置滤膜，滤膜具有吸附物质和通气的作用。

进一步地，所述吸附物质为活性炭或碳纳米管或石墨烯，主要吸附杂质和部分主要物质。

进一步地，所述的滤膜具有导热性，使到收集区采集，提高产量。

进一步地，所述的滤膜滤膜为一个或多个。

进一步地，所述的滤膜为吸附物质与支撑物的结合，为吸附物质提供支撑载体。

进一步地，所述的支撑物为空状或/和网状结构。

进一步地，其特征在于每个格栅所含的吸附材料可以为多种。

进一步地，其特征在于格栅的孔径为1微米到1厘米之间。

进一步地，其特征在于吸附材料可以有取向。

有机半导体材料升华提纯方法，将有机半导体材料经过加热，升华后通过内管之间的滤膜，部分物质被吸附，杂质部分被大量吸附，主物质富集在材料收集区。

本发明的有益效果是：

1. 由于在内管之间设置滤膜，滤膜可以吸附杂质物质，有利于提高主物质的纯度。

2.由于格栅由具有吸附功能的材料制成，可以根据提纯材料的性能选择合适的吸附材料。

3. 由于格栅为热的良导体，可以避免材料在格栅上凝结。

附图说明：

图1是本发明的结构示意图；

图2是本发明滤膜的结构示意图；

图中：1、内管，2、滤膜，3、格栅，4、碳纳米管。

实施例：

如图1所示，升华提纯装置包括6个内管，从加热区开始相邻内管之间设置滤膜，设置三个滤膜，如图2所示，该滤膜是将碳纳米管织成网状结构紧贴于钢栅；将有机半导体材料置于加热区加热，升华后通过内管之间的滤膜，其中杂质和主物质被吸附，且杂质被吸附比例较大，含有少量杂质的主物质通过进一步的滤膜，进一步的纯化，直至在材料收集区获得高纯度的主物质。

本发明不限于所述的实施例，在产生效果相同的任何等效替代和改变都包括在本发明的公开范围之内。本领域的普通技术人员能从本发明公开的内容直接导出或联想到的所有变形，均应属于本发明的保护范围。