[发明专利]一种低温应激强化脉冲电场杀灭单增李斯特菌的方法有效
| 申请号： | 201410421710.1 | 申请日： | 2014-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN104222715B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 曾新安;刘志伟;韩忠;王启军 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | A61L2/03 | 分类号： | A61L2/03;A23L5/30;A23L3/00;A23L3/36 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 511458 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 应激 强化 脉冲 电场 杀灭 李斯特 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温应激强化脉冲电场杀灭单增李斯特菌的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)取新鲜的液体样品；
(2)先将液体样品进行程序降温贮藏：在13～17℃下贮藏1～2h，然后将温度降至3～7℃贮藏1～2h；
(3)将液体样品升温至35～40℃，立即进行脉冲电场处理。
2.根据权利要求1所述的低温应激强化脉冲电场杀灭单增李斯特菌的方法，其特征在于，步骤(3)所述脉冲电场处理的参数为：
电场强度15～30kV/cm，脉冲数50～200个，频率为1000Hz，脉宽为2～100μs。
3.根据权利要求1所述的低温应激强化脉冲电场杀灭单增李斯特菌的方法，其特征在于，步骤(3)所述将液体样品升温至35～40℃，具体为：
在1～2min内将所述液体样品通过热交换器升温至35～40℃。
4.根据权利要求1所述的低温应激强化脉冲电场杀灭单增李斯特菌的方法，其特征在于，在需要多批次处理液体样品时，将经步骤(1)～(3)处理后的上一批次的液体样品和经步骤(1)～(2)处理后的下一批次的液体样品泵入热交换器，使下一批次的液体样品升温至35～40℃。
5.根据权利要求1所述的低温应激强化脉冲电场杀灭单增李斯特菌的方法，其特征在于，步骤(3)之后还包括以下步骤：
(4)对脉冲处理后的液体样品进行无菌灌装保存。
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