[发明专利]用于优化远程等离子窗清洁的排气流扩散挡板冒口

权利要求书

1.一种用于半导体处理室的排气挡板，所述排气挡板包括：

内接在三角区内的底表面，所述底表面具有第一侧边、第二侧边和入口边；

在所述底表面内并与所述入口边相对定位的排气孔；

沿入口边定位的升高的轮廓截面，所述升高的轮廓截面具有偏离所述底表面第一距离的上表面，其中所述排气挡板被配置成与所述半导体处理室的至少一个其它组件连接，以使所述底表面偏离所述至少一个其它组件第二距离并使所述第一距离是所述第二距离的至少50％，其中所述上表面位于所述底表面和所述至少一个其它组件之间。

2.如权利要求1所述的排气挡板，其中，所述排气挡板相对于对称平面是基本对称的，所述对称平面与所述三角区的第一边相对的所述三角区的顶点相交，所述三角区的第一边在入口边附近，并且所述对称平面基本垂直于所述第一边。

3.如权利要求2所述的排气挡板，其中，所述入口边基本是直的并且对应于所述第一边，而所述第一侧边和所述第二侧边基本与所述三角区的第二边和第三边重合。

4.如权利要求2或3中任何一项所述的排气挡板，其中，所述底表面具有在所述三角区与所述第一边相对的顶点附近的圆角。

5.如权利要求2或3中任何一项所述的排气挡板，其中，所述升高的轮廓截面具有在与底表面平行的平面内的横截面，所述横截面与半径为R 的半圆形区域基本对应，其中所述半圆形区域中具有凹口，所述凹口居中于所述对称平面并朝向所述入口边延伸至少大约R/2的距离。

6.如权利要求5所述的排气挡板，其中，所述半导体处理室的与被配置的所述排气挡板连接的至少一个其它组件包括具有半径R’的基本半圆形的凹部，其中R’至少为1.05R。

7.如权利要求6所述的排气挡板，其中，R’和R之间的差是所述第一距离和所述第二距离之间的差的至少约两倍那样大。

8.如权利要求5所述的排气挡板，其中，所述凹口是具有大约90°夹角的三角形凹口。

9.如权利要求5所述的排气挡板，其中，所述凹口是半圆形凹口。

10.如权利要求5所述的排气挡板，其中，所述第一距离是所述第二距离的至少75％。

11.如权利要求2或3中任何一项所述的排气挡板，其中：

所述升高的轮廓截面在与所述入口边基本垂直的平面内具有基本对称的梯形横截面形状；以及

所述梯形横截面形状在所述底表面是最宽的。

12.一种UV半导体处理工具，其包括：

处理室；

位于所述处理室内的基座；

UV光源，其被定位以使所述基座暴露于来自所述UV光源的UV辐射；

定位在所述UV光源和所述基座之间的窗；

气体入口区，其被配置成使处理气体流入所述处理室、跨过所述窗并且在所述窗和所述基座之间；以及

具有排气挡板的气体排放区，所述气体排放区被配置成将经由所述气体入口区流入所述处理室的气体从所述处理室排空，其中所述挡板具有：

内接在三角区内的底表面，所述底表面具有第一侧边、第二侧边和入口边；

在所述底表面内并与所述入口边相对定位的排气孔；

沿入口边定位的升高的轮廓截面，所述升高的轮廓截面具有偏离所述底表面第一距离的上表面，其中所述排气挡板被配置成与所述处理室的至少一个其它组件连接，以使所述底表面偏离所述至少一个其它组件第二距离并使所述第一距离是所述第二距离的至少50％，其中所述上表面位于所述底表面和所述至少一个其它组件之间。

13.如权利要求12所述的UV半导体处理工具，其中，所述排气挡板相对于对称平面是基本对称的，所述对称平面与所述三角区的第一边相对的所述三角区的顶点相交，所述三角区的第一边在所述入口边附近，并且所述对称平面基本垂直于所述第一边。

14.如权利要求13所述的UV半导体处理工具，其中：

所述升高的轮廓截面在与所述入口边基本垂直的平面内具有基本对称的梯形横截面形状；以及

所述梯形横截面形状在所述底表面是最宽的。