[发明专利]一种电流源校准电路

权利要求书

1.一种电流源校准电路，其特征在于，包括由运算放大器amp1、三极管Q1、Q2和电阻R1、R2、R3、R4、R5组成的电流源电路以及由三极管Q10、NMOS管M0、M1、M2、M3、M4、M5，开关S1、S2、S3、S4、S5和电阻R10、R11组成的校准电路；

其中，运算放大器amp1的正输入端通过电阻R1接入GND的同时，接三极管Q1的集电极，运算放大器amp1的负输入端接基准电压VREF，运算放大器amp1输出端接三极管Q1、Q2、Q10的基极；三极管Q1发射极接电阻R2的一端；电阻R2的另一端接电阻R3；电阻R3的另一端接电源VDD；三极管Q2集电极接电流源模块输出端I1，发射极接电阻R4的一端；电阻R4的另一端接电阻R5的一端同时接开关S1~S5的共有端；电阻R5的另一端接电源VDD；NMOS管M0的源极接地，栅极与漏极相接同时接三极管Q10的集电极和NMOS管M1、M2、M3、M4、M5的栅极；三极管Q10基极接运算放大器amp1的输出端，发射极接电阻R10的一端；电阻R10的另一端与电阻R11相接；电阻R11的另一端接电源VDD；NMOS管M1、M2、M3、M4、M5的源极都接地，漏极分别接到开关S1、S2、S3、S4、S5的一端；开关S1、S2、S3、S4、S5的另一端互相连接且接入R4和R5的相接端。

2.如权利要求1所述的电流源校准电路，其特征在于，所述运算放大器amp1为一级运算放大器；其中，PMOS管M10的源极接电源VDD，栅极和漏极相接，并接到PMOS管M11的栅极和NMOS管M12的漏极；PMOS管M11的源极接电源VDD，漏极接运算放大器amp1的输出VOUT；NMOS管M12的栅极接运算放大器amp1的正输入端INP，源极接NMOS管M13的源极以及电阻R10的一端；电阻R10的另一端接地；NMOS管M13的栅极接运算放大器amp1的负输入端INN，漏极接运算放大器amp1的输出端VOUT。

3.如权利要求1或权利要求2所述的电流源校准电路，其特征在于，所述NMOS管M1、M2、M3、M4、M5的宽长比W/L的比例为1:2:4:8:16，NMOS管M0的宽长比W/L则没有限制。

4.如权利要求1或权利要求2所述的电流源校准电路，其特征在于，所述开关S1、S2、S3、S4、S5为金属熔丝或者栅极受外部输入控制的MOS管。