[发明专利]半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造

权利要求书

1.一种半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造，其为在剖面减少率为99％以上的情况下进行连续线拉延，且由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成的半导体装置接合用铜稀薄镍合金线，其中，上述表层由氧化物的成长层构成，上述内部氧化层由使氧化镍粒子微细分散于金属不足型氧化铜母材中的层构成，上述铜稀薄镍合金层为使0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的铜(Cu)母材的合金层，该半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造的特征为：

上述内部氧化层的厚度为上述表面层厚度的60倍以上。

2.一种半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造，其为在剖面减少率为99％以上的情况下进行连续线拉延，且由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成的半导体装置接合用铜稀薄镍合金线，其中，上述表层由氧化物的成长层构成，上述内部氧化层由使氧化镍粒子微细分散于金属不足型氧化铜母材的层构成，上述铜稀薄镍合金层由使0.1～1.5质量％的镍(Ni)及1～5质量ppm的磷(P)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的铜(Cu)母材的合金层，该半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造的特征为：

上述内部氧化层的厚度为上述表面层厚度的60倍以上。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造，其中，

上述内部氧化层的厚度为上述表层厚度的80倍以上。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造，其中，

上述铜稀薄镍合金层的剩余部分的铜(Cu)的纯度为99.998质量％以上。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造，其中，

上述铜稀薄镍合金层的剩余部分的镍(Ni)为0.8～1.2质量％。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造，其中，

上述铜合金细线的氧(O)含量为10～150质量ppm。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造，其中，

上述连续线拉延为以冷轧进行的连续线拉延。

8.如权利要求1或2所述的半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造，其中，

上述半导体装置的接合为楔形接合。

9.如权利要求1或2所述的半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造，其中，

上述半导体装置的接合为球状接合及跳焊接合。