[发明专利]压接式IGBT的正面金属工艺

权利要求书

1.一种压接式IGBT的正面金属工艺，包括步骤：

A.在完成所述压接式IGBT的前道工艺后，在层间介质层(101)上淀积第一正面金属层(102)，所述第一正面金属层(102)具有第一厚度；所述层间介质层(101)上开有一个或多个接触通孔(103)，所述第一正面金属层(102)的金属也向下填入所述接触通孔(103)中；

B.在所述第一正面金属层(102)上旋涂第一光刻胶层(102a)作为掩模层，光刻后对所述第一正面金属层(102)进行湿法刻蚀，在所述层间介质层(101)上形成上宽下窄的一个或多个第一凹槽(104)；

C.在当前结构的所有表面上淀积阻挡层(105)，并将后续需要形成厚金属的区域处的所述阻挡层(105)窗口打开，所述第一凹槽(104)的底部、侧壁和上缘仍包覆有所述阻挡层(105)；

D.对窗口打开后暴露出的所述第一正面金属层(102)表面进行淀积前的预处理，去除掉所述第一正面金属层(102)表面上的氧化层；

E.在当前结构的所有表面上淀积第二正面金属层(106)，所述第二正面金属层(106)具有第二厚度，所述第二正面金属层(106)的金属也向下填入所述第一凹槽(104)和所述窗口中；

F.在所述第二正面金属层(106)上旋涂第二光刻胶层(106a)作为掩模层，光刻后对所述第二正面金属层(106)进行湿法刻蚀，在所述第二正面金属层(106)中形成侧壁倾斜、导向所述第一凹槽(104)的上宽下窄的一个或多个第二凹槽(108)，所述第二凹槽(108)的底部停止于所述第二正面金属层(106)中；

G.继续以所述第二光刻胶层(106a)作为掩模层，对所述第二凹槽(108)再进行干法刻蚀，直至刻穿所述第二正面金属层(106)并清空所述第一凹槽(104)中的金属；所述第一凹槽(104)上缘处包覆的所述阻挡层(105)上方形成有其底部具有一定宽度的保护斜坡(109)。

2.根据权利要求1所述的压接式IGBT的正面金属工艺，其特征在于，形成于所述第一凹槽(104)上缘处包覆的所述阻挡层(105)上方的所述保护斜坡(109)的底部宽度为1至2微米。

3.根据权利要求2所述的压接式IGBT的正面金属工艺，其特征在于，所述第一正面金属层(102)的第一厚度为4微米。

4.根据权利要求3所述的压接式IGBT的正面金属工艺，其特征在于，所述阻挡层(105)的材质为未掺杂的硅玻璃和氮化硅，所述未掺杂的硅玻璃位于所述阻挡层(105)的下层，所述氮化硅位于所述阻挡层(105)的上层。

5.根据权利要求4所述的压接式IGBT的正面金属工艺，其特征在于，对窗口打开后暴露出的所述第一正面金属层(102)表面进行淀积前的预处理为射频离子轰击处理。

6.根据权利要求5所述的压接式IGBT的正面金属工艺，其特征在于，所述第二正面金属层(106)的第二厚度为8微米。

7.根据权利要求6所述的压接式IGBT的正面金属工艺，其特征在于，所述压接式IGBT的发射极焊垫是利用所述第一正面金属层(102)加上所述第二正面金属层(106)构成的。