[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

真空处理腔室，其具有侧壁和顶板；所述顶板具有用于引入反应气体的进气口；所述侧壁的外周沿长度方向卷绕有感应线圈；

射频源，用于向所述感应线圈供给电力以在所述真空处理腔室内形成等离子体产生区域；以及

气体导流组件，设于所述真空处理腔室内，水平邻设于所述顶板下方且固定于所述顶板和/或侧壁，其包括：

板状主体；

至少一个环形的导流结构，其靠近所述板状主体边缘处，贯穿所述板状主体的上下表面且与所述进气口连通；所述导流结构为由环状分布的多个通孔组成的通孔圈或环状狭缝，所述通孔或环状狭缝在垂直方向上至少下段径向向外倾斜以引导由该进气口引入的反应气体朝向所述侧壁的所述感应线圈喷射。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导流结构为多个从所述板状主体边缘处向中心方向同心分布，所述多个导流结构均为所述通孔圈或均为所述环状狭缝或为所述通孔圈和所述环状狭缝的组合。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，对于所述多个导流结构，所述径向向外倾斜的夹角沿所述板状主体径向向内增加。

4.根据权利要求1或3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述径向向外倾斜的夹角的范围为大于0度且小于等于30度。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，每一所述通孔或环状狭缝在垂直方向上具有上段和与之连通的所述下段，所述上段垂直于所述板状主体的平面。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述通孔的孔径为0.1～5mm。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述环状狭缝的缝隙宽度为0.05～5mm。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导流结构与所述侧壁的距离为0～30mm。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述真空处理腔室内设有用于保持基板的基座，所述基座位于所述等离子体产生区域下方2～12英寸。

10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述真空处理腔室包括筒状等离子体产生容器和位于该筒状等离子体产生容器下方与之连通的处理容器，所述基座位于所述处理容器中，所述感应线圈卷绕于所述等离子体产生容器的侧壁的外周。