[发明专利]鳍状结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成鳍状结构的方法，其特征在于，包含:

在一基底上形成一第一鳍片及第二鳍片；

进行一第一蚀刻制作工艺，移除该第二鳍片的一部分；

进行一第二蚀刻制作工艺，移除该第二鳍片的另一部分，以在该第二鳍片形成不规则形状；以及

进行一第三蚀刻制作工艺，移除该第二鳍片的再一部分，以形成一突状物，其中该突状物的高度小于该第一鳍片的高度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一鳍片还包含第一掩模层，位于该第一鳍片上，该第二鳍片还包含第二掩模层，位于该第二鳍片上。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包含:

在该基底上形成一有机介电层，该有机介电层覆盖该第一鳍片及该第二鳍片；以及

移除该有机介电层覆盖在该第二鳍片上的部分，并且移除该第二掩模层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在该第一蚀刻制作工艺中是利用一第一蚀刻剂，该第一蚀刻剂包含四氟化碳。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在该第二蚀刻制作工艺中是利用一第二蚀刻剂，该第二蚀刻剂对于该第二鳍片具有较高的蚀刻率。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该第二蚀刻剂包含溴化氢、氯化氢或是溴化氢及氯化氢的组合物。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在该第三蚀刻制作工艺中是利用一第三蚀刻剂，该第三蚀刻剂与该第一蚀刻剂相同。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含:

在进行该第一蚀刻制作工艺、该第二蚀刻制作工艺及该第三蚀刻制作工艺后形成一绝缘层，其中该绝缘层是形成在该第一鳍片与该突状物之间，并覆盖该突状物，且该第一鳍片的一部分自该绝缘层中凸伸出。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成该绝缘层的步骤还包含:

在该基底上形成一绝缘材料，覆盖该第一鳍片及该突状物；以及

移除该绝缘材料的一部分，以形成该绝缘层。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包含:

形成一介电层，该介电层是位于该绝缘层与该第一鳍片之间，及位于该绝缘层与突状物之间。