[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，是通过使高频电流流入天线，而使真空容器内产生感应电场，生成等离子体，且利用该等离子体对基板实施处理的电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于：

所述天线形成将高频电极收纳在电介质盒内的构造，

所述高频电极形成如下构造，即：

使均呈现矩形板状的2个电极导体，以两者作为整体来呈现矩形板状的方式，相互隔开间隙且接近并平行地配置，

且利用导体将两电极导体的长度方向的其中一端彼此连接而构成返回导体构造，所述高频电流相互逆向地流向该2个电极导体，

进而，在所述2个电极导体的所述间隙侧的边上，分别设置夹着所述间隙而对向的切口，利用对向的所述切口形成开口部，且使该开口部以多个分散并配置在该高频电极的长度方向，

且将所述天线以构成所述天线的所述高频电极的主面与所述基板的表面成为实质上相互垂直的方向而配置在所述真空容器内。

2.一种等离子体处理装置，是通过使高频电流流入天线，而使真空容器内产生感应电场，生成等离子体，且利用该等离子体对基板实施处理的电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于：

所述天线形成将高频电极收纳在电介质盒内的构造，

所述高频电极形成如下构造，即：

使其中一个呈现矩形板状且另一个呈现棒状的2个电极导体，两者作为整体以呈现矩形板状的方式，相互隔开间隙且接近并平行地配置，

且利用导体将两电极导体的长度方向的其中一端彼此连接而构成返回导体构造，且

所述高频电极形成如下构造，即：

所述高频电流相互逆向地流向该2个电极导体，

进而在所述呈现矩形板状的电极导体的所述间隙侧的边上设置切口，利用该切口形成开口部，且使该开口部以多个分散并配置在该高频电极的长度方向，

且将所述天线以构成所述天线的所述高频电极的主面与所述基板的表面成为实质上相互垂直的方向而配置在所述真空容器内。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述天线的平面形状为实质上平直，且

沿着所述基板的表面，相互并列地配置多个所述天线，

将构成各所述天线的所述高频电极的供电点与接地点，在该多个所述天线上分别配置在各所述天线的相同侧，并且将所述接地点配置在所述基板侧。

4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述天线的平面形状为实质上平直，且

沿着所述基板的表面，相互并列地配置多个所述天线，

将构成各所述天线的所述高频电极的供电点与接地点，在该多个所述天线上交替地配置。

5.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

使该多个所述天线的并列方向上的两端区域的间隔，小于其他区域的间隔。

6.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述天线的平面形状呈环状。

7.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

将多个所述天线，以这些天线整体地平面形状形成环状的方式配置。

8.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

以横截所述电介质盒的方式，穿过多个电介质管，所述多个电介质管分别贯通内部的所述高频电极的各所述开口部内。

9.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

使所述电介质盒的至少其中一个侧面，即与内部的所述高频电极的各所述开口部对向的部分，局部地朝向内侧形成凹陷。

10.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

使所述电介质盒的至少其中一个侧面，即包含与内部的所述高频电极的所述多个开口部对向的部分的区域，沿着所述天线的长度方向朝向内侧形成连续的凹陷。

11.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述天线形成如下构造，即：具有2片所述高频电极，在该2片高频电极之间夹着用于冷却两高频电极的冷却管，并收纳在所述电介质盒内，所述冷却管内部流有冷却介质，

且使各所述高频电极的外侧的主面与对向于该主面的所述电介质盒的外表面之间的距离，相对于所述2片高频电极相互实质上相等。