[发明专利]一种复合微织构导轨有效
申请号: | 201410414042.X | 申请日: | 2014-08-21 |
公开(公告)号: | CN104551701B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 符永宏;王林森;康正阳;符昊;纪敬虎 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | B23Q1/01 | 分类号: | B23Q1/01;B23P15/00 |
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地址: | 211215 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合 微织构 导轨 | ||
技术领域
本发明涉及一种机床导轨表面处理技术,经激光微加工和抛光工艺,在机床导轨表面形成平顶状复合微形貌,具体涉及一种复合微织构导轨技术在机床产业中的应用。
技术背景
随着科技的进步,复杂精密零件需求量显著增加,精密机床在机械制造业中的地位举足轻重。机床导轨是整机关键组成部分,其性能直接影响到加工精度和机床寿命。机床导轨常见缺陷包括:导轨接触面积大,油膜分布不均,粘着磨损增加;导轨面处于边界润滑状态,磨损加剧;动压或静压导轨表面,油膜又过厚,导轨浮起过高,被加工表面粗糙度增加,精度降低;润滑油中混入灰尘或切屑,造成导轨面的擦伤和磨损;由于润滑油分布不均匀,摩擦力发生突变发生爬行现象。导轨表面粗糙度异常、存在的磨损颗粒、发生粘着、导轨瞬间启动等都会导致爬行,但归根结底,摩擦力的突然变化是爬行现象的主要因素。
中国专利CN102678751A,公开了一种基体表面带微坑油包的滑动导轨,在导轨基体表面有均匀分布的微坑油包,然后在导轨基体上粘结一层软材料。虽然导轨润滑效果提高,但是软材料会在工作台和滑块的载荷作用下发生的塑性变形,会直接影响被加工零件的表面质量;并且软材料与导轨基体材料的贴合很困难,软材料容易脱落。
中国专利CN201783819U,公开了一种导轨耐磨片,在导轨表层粘结一层聚四氟乙烯,虽然提高导轨的耐磨性,但是聚四氟乙烯具有“冷流性”,即材料制品在长时间连续载荷作用下发生的塑性蠕变,这种特性在机床导轨上的应用带来一定的限制,不能满足导轨实际工作的需求;聚四氟乙烯是极好的防粘材料,这种性能又使得它与其他钢材的表面粘合极为困难,很容易脱落。
中国专利CN101117654A,采用导轨淬火工艺提高导轨的耐磨性能,但导轨的爬行现象和润滑性能没有得到改善,无法提高机床导轨的综合性能。高精度机床采用的滚动导轨,即便提高导轨的综合性能,但导轨的结构复杂、维修不便、制造成本很高、经济性差。
根据摩擦理论,最大静滑动摩擦力的大小与两物体间的法向反力大小成正比,静摩擦力F1=fs×FN;动摩擦力与接触正压力成正比,动摩擦力F2=f×FN。导轨在开始运动瞬间,从静止到运动需要克服最大静摩擦力F1的最大值,而由于静摩擦系数大于动摩擦系数,在接触正压力不变的前提下,动、静摩擦力发生变化,导致了运动部件的突然蹿动,产生了导轨的爬行现象。由于静摩擦系数与静止接触时间有关,随着接触时间的增加使静摩擦系数增加,其原因是摩擦表面在法向载荷的作用下,粗糙峰彼此嵌入并产生很高的接触应力和塑性变形,使实际的接触面积增加,随着静止时间延长,相互嵌入和塑性变形程度都加强。而经本方法处理后的导轨表面,粗糙峰嵌入的机率大为降低,静摩擦系数降低,动、静摩擦系数趋于一致,爬行现象得到抑制。
复合微形貌周围的微凹坑能够起到收集导轨表面磨粒和灰尘的效果,避免导轨表面被划伤和破坏,微凹坑还能够储存润滑油,避免导轨发生缺油现象。采用平顶状复合微形貌,能够避免微凸起尖端划伤导轨表面,缩短导轨磨合时间。激光微加工过程中会产生激光硬化作用,使复合微形貌周围组织变为高碳马氏体和残余奥氏体,即激光淬火处理,激光淬火较传统淬火强化处理工艺有硬度高、耐磨性好等优点;平顶状复合微形貌与普通尖顶状复合微形貌相比,其轮廓的支撑长度率高,轮廓的支撑长度率是评定零件表面耐磨性能的指标,平顶状复合微形貌提高导轨的耐磨性。
发明内容
本发明公开了一种非接触式加工,不会对材料产生机械挤压或机械应力的复合微织构导轨及其制作方法。
本发明采取的技术方案为:一种复合微织构导轨,在导轨承载及相对运动表面加工分布规则的复合微形貌,所述复合微形貌同时具有微凹腔和微凸起。
上述方案中,所述复合微形貌为火山口型,所述的火山口型为中间凹周围凸的复合微形貌,具体形貌几何参数为:凹坑直径d=100-500um,凹坑深度h=1-50um,凸肩高度H=1-70um,微凸起形貌平顶直径为100-550um,形貌间距S=200-1500um。
上述方案中,所述复合微形貌为球冠型;所述的球冠型为中间凸周围凹的复合微形貌,具体形貌几何参数为:凹坑直径d=100-500um,凹坑深度h=1-50um,凸肩直径D=50-450um,凸肩高度H=1-70um,微凸起形貌平顶直径为5-500um,形貌间距S=200-1500um。
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