[发明专利]PMOLED阵列基板及其制作方法、显示装置和掩模板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种无源矩阵有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置和掩模板。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示屏由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。

OLED依据驱动方式的不同，可分为无源矩阵有机发光二极管(Passive Matrix OLED，简称PMOLED)与有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix OLED，简称AMOLED)两种。其中，PMOLED以阴极、阳极构成矩阵状，以扫描方式点亮阵列中的像素，每个像素都是操作在短脉冲模式下，为瞬间高亮度发光，其结构简单，可以有效降低制造成本。

图1为现有单色PMOLED阵列基板的俯视图，图2为图1在A-A处的截面图，PMOLED阵列基板的显示区域包括N*M(N和M均为自然数，图1以3*3为例)个呈矩阵状排布的发光像素单元1，每个发光像素单元1对应一个OLED，N*M个OLED的阴极2为整平面电极，共有N*M条引线3与N*M个OLED的阳极电极对应连接，另外还有两条引线3与整平面的阴极2通过跨线区结构连接，各条引线3通过对应引脚4与驱动芯片连接。现有PMOLED阵列基板的制作需要采用六次构图工艺依次形成第一金属层5、第一绝缘层6、第二金属层7、第二绝缘层8、透明导电层9和像素界定层10，PMOLED阵列基板的制作过程需采用六张掩模板。

现有技术存在的缺陷在于，PMOLED阵列基板制作过程中使用的掩模板数量较多，生产成本较高。

发明内容

本发明实施例提供了一种无源矩阵有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置和掩模板，以减少掩模板的使用数量，降低生产成本。

本发明实施例提供的无源矩阵有机发光二极管阵列基板，包括：

位于衬底基板上的第一金属层，包括电极连接金属、第一跨线金属条、引线金属和第一引脚金属；

位于第一金属层之上且在电极连接金属、第一跨线金属条和第一引脚金属的上方分别具有过孔的绝缘层；

位于绝缘层之上的第二金属层，包括通过对应过孔与第一跨线金属条连接的第二跨线金属条，以及通过对应过孔与第一引脚金属连接的第二引脚金属；

位于第二金属层之上的透明导电层，包括与第二跨线金属条层叠设置的透明跨线条、与第二引脚金属层叠设置的透明引脚，以及通过对应过孔与电极连接金属连接的透明电极。

在本发明技术方案中，透明导电层位于第二金属层之上，透明导电层和第二金属层之间没有设置绝缘层，透明导电层和第二金属层可以利用同一张掩模板制作形成，相比于现有技术，减少了掩模板的使用数量，大大降低了生产成本，简化了制作工艺。

进一步，所述阵列基板还包括位于透明导电层之上的像素界定层。

可选的，所述无源矩阵有机发光二极管阵列基板为单色发光基板或彩色发光基板。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述任一技术方案所述的无源矩阵有机发光二极管阵列基板，其制作工艺较为简化，生产成本较低。

本发明实施例还提供了一种掩模板，包括第一构图部、第二构图部和第三构图部，其中：

所述第一构图部对应无源矩阵有机发光二极管阵列基板的显示区域，包括与像素单元对应的遮光单元；

所述第二构图部对应无源矩阵有机发光二极管阵列基板的显示区域且为全透光区；

所述第三构图部对应无源矩阵有机发光二极管阵列基板的周边区域，包括与引脚区对应的第一遮光区以及与跨线区对应的第二遮光区。

在制作上述结构的无源矩阵有机发光二极管阵列基板时，可采用同一张上述掩模板分别制作透明导电层图形和第二金属层图形，因此能够减少掩模板的使用数量，降低了生产成本，简化制作工艺。

本发明实施例还提供了一种无源矩阵有机发光二极管阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上通过第一构图工艺形成第一金属层图形；

在形成第一金属层图形的基板上通过第二构图工艺形成绝缘层图形；

使用前述掩模板的第二构图部和第三构图部在形成绝缘层图形的基板上通过第三构图工艺形成第二金属层图形；

使用前述掩模板的第一构图部和第三构图部在形成第二金属层图形的基板上通过第四构图工艺形成透明导电层图形。