[发明专利]去除水相中DDT化合物的方法有效
| 申请号： | 201410412311.9 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105439236B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 贺军辉;田华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C02F1/28 | 分类号： | C02F1/28;C02F1/48;B01J20/10;B01J20/34 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 相中 ddt 化合物 方法 | ||
1.一种去除水相中DDT化合物的方法，其特征是：将具有核-壳结构的Fe3O4@nSiO2@Pd/mSiO2磁性介孔氧化硅材料分散于含有DDT化合物的水中，使DDT化合物从水中吸附富集于具有核-壳结构的Fe3O4@nSiO2@Pd/mSiO2磁性介孔氧化硅材料上，其中Fe3O4@nSiO2@Pd/mSiO2磁性介孔氧化硅材料的Pd负载量为1.0wt％；然后在外加磁场的情况下，采用磁分离技术将具有核-壳结构的Fe3O4@nSiO2@Pd/mSiO2磁性介孔氧化硅材料从水中分离出，使水体净化，实现去除水中DDT化合物；
将从水中分离出的吸附有DDT化合物的具有核-壳结构的Fe3O4@nSiO2@Pd/mSiO2磁性介孔氧化硅材料，在温度为150℃下进行催化降解反应120分钟，对DDT化合物和其次级降解物DDE化合物进行脱氯降解反应，同时对DDT化合物和其次级降解物DDE化合物的脱氯去除。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的具有核-壳结构的Fe3O4@nSiO2@Pd/mSiO2磁性介孔氧化硅材料分散于含有DDT化合物的水中，所处理的含有DDT化合物的水的质量与具有核-壳结构的Fe3O4@nSiO2@Pd/mSiO2磁性介孔氧化硅材料的加入量比大于1×103。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征是：所述的水中的DDT化合物的浓度为0.5～3μg mL-1。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的使DDT化合物从水中吸附富集于具有核-壳结构的Fe3O4@nSiO2@Pd/mSiO2磁性介孔氧化硅材料上，吸附富集的时间为15～120分钟。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的将具有核-壳结构的Fe3O4@nSiO2@Pd/mSiO2磁性介孔氧化硅材料从水中分离出，其磁分离的时间为1～10分钟。
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